{"id":452607,"date":"2024-06-03T00:08:09","date_gmt":"2024-06-02T22:08:09","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=452607"},"modified":"2024-06-03T00:08:09","modified_gmt":"2024-06-02T22:08:09","slug":"lia-au-service-des-capteurs-dimages-cmos-avec-l-integration-a-trois-couches","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/lia-au-service-des-capteurs-dimages-cmos-avec-l-integration-a-trois-couches\/","title":{"rendered":"L’IA au service des capteurs d’images CMOS avec l int\u00e9gration \u00e0 trois couches"},"content":{"rendered":"

Le CEA-Leti, a mis au point un proc\u00e9d\u00e9 permettant de combiner le collage hybride et les trous d’interconnexion \u00e0 haute densit\u00e9 pour ajouter de l’intelligence artificielle aux capteurs d’images CMOS.<\/span><\/h3>\n

L’int\u00e9gration de l’IA par le CEA-Leti permet une nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de capteurs d’images CMOS (CIS) capables d’exploiter toutes les donn\u00e9es d’image pour percevoir une sc\u00e8ne, comprendre la situation et intervenir.<\/span><\/p>\n

Le projet a d\u00e9velopp\u00e9 un v\u00e9hicule de test \u00e0 trois couches comportant deux interfaces de liaison hybride Cu-Cu int\u00e9gr\u00e9es, face \u00e0 face (F2F) et face \u00e0 dos (F2B), et avec une tranche contenant des TSV haute densit\u00e9.<\/span><\/p>\n

Les d\u00e9tails ont \u00e9t\u00e9 pr\u00e9sent\u00e9s cette semaine lors de la conf\u00e9rence ECTC 2024 \u00e0 Denver et s’appuient sur des travaux ant\u00e9rieurs sur l’empilement de trois tranches de silicium de 300 mm.\u00a0<\/span><\/p>\n

Une demande croissante de capteur intelligents<\/strong><\/p>\n

La demande de capteurs intelligents augmente rapidement en raison de leurs capacit\u00e9s d\u2019imagerie haute performance dans les smartphones, les appareils photo num\u00e9riques, les automobiles et les appareils m\u00e9dicaux. Cette demande d\u2019am\u00e9lioration de la qualit\u00e9 d\u2019image et des fonctionnalit\u00e9s am\u00e9lior\u00e9es par l\u2019IA int\u00e9gr\u00e9e a pos\u00e9 aux fabricants le d\u00e9fi d\u2019am\u00e9liorer les performances des capteurs sans augmenter la taille de l\u2019appareil.<\/span><\/p>\n

Architecture 3d<\/strong><\/p>\n

Renan Bouis, chercheur au CEA-Leti \u00e0 Grenoble. a d\u00e9clar\u00e9 : \u00ab\u00a0L’empilement de plusieurs puces pour cr\u00e9er des architectures 3D, telles que des imageurs \u00e0 trois couches, a conduit \u00e0 un changement de paradigme dans la conception des capteurs. <\/span>La communication entre les diff\u00e9rents niveaux n\u00e9cessite des technologies d’interconnexion avanc\u00e9es, une exigence \u00e0 laquelle la liaison hybride r\u00e9pond en raison de son pas tr\u00e8s fin dans la plage microm\u00e9trique et m\u00eame submicrom\u00e9trique\u00a0\u00bb.<\/span><\/p>\n

Le via silicium haute densit\u00e9 (HD TSV) a une densit\u00e9 similaire qui permet la transmission du signal \u00e0 travers les niveaux interm\u00e9diaires. Les deux technologies contribuent \u00e0 la r\u00e9duction de la longueur des c\u00e2bles, un facteur essentiel pour am\u00e9liorer les performances des architectures empil\u00e9es en 3D.<\/span><\/p>\n

\u00a0\u00ab Ces articles pr\u00e9sentent les briques technologiques cl\u00e9s n\u00e9cessaires \u00e0 la fabrication d’imageurs intelligents 3D multicouches, capables d’adresser de nouvelles applications n\u00e9cessitant une IA embarqu\u00e9e \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Eric Ollier, chef de projet au CEA-Leti et directeur du programme Smart Imager de l’IRT Nanoelec. L’institut CEA-Leti est un partenaire majeur de l’IRT Nanoelec.<\/span><\/p>\n

\u00ab\u00a0La combinaison de la liaison hybride avec les HD TSV dans les capteurs d’images CMOS pourrait faciliter l’int\u00e9gration de divers composants, tels que des r\u00e9seaux de capteurs d’images, des circuits de traitement du signal et des \u00e9l\u00e9ments de m\u00e9moire, avec une pr\u00e9cision et une compacit\u00e9 in\u00e9gal\u00e9es\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 le chercheur St\u00e9phane Nicolas.<\/span><\/p>\n

St\u00e9phane Nicolas continu :\u00a0\u00bbLe v\u00e9hicule de test constitue une \u00e9tape cl\u00e9 car il d\u00e9montre \u00e0 la fois la faisabilit\u00e9 de chaque brique technologique et \u00e9galement la faisabilit\u00e9 du flux du processus d’int\u00e9gration. \u00ab\u00a0Ce projet ouvre la voie \u00e0 la d\u00e9monstration d’un capteur d’image CMOS intelligent \u00e0 trois couches enti\u00e8rement fonctionnel, dot\u00e9 d’une IA de pointe capable de r\u00e9pondre \u00e0 des applications de segmentation s\u00e9mantique et de d\u00e9tection d’objets hautes performances\u00a0\u00bb.<\/span><\/p>\n

L’ann\u00e9e derni\u00e8re, les scientifiques du CEA-Leti ont pr\u00e9sent\u00e9 un v\u00e9hicule d’essai \u00e0 deux couches combinant un HD TSV de 10 microns de haut et 1 micron de diam\u00e8tre et une technologie de liaison hybride hautement contr\u00f4l\u00e9e, tous deux assembl\u00e9s en configuration F2B. Les travaux r\u00e9cents ont ensuite raccourci le HD TSV \u00e0 six microns de hauteur, ce qui a conduit au d\u00e9veloppement d’un v\u00e9hicule d’essai \u00e0 deux couches pr\u00e9sentant des performances \u00e9lectriques \u00e0 faible dispersion et permettant une fabrication plus simple.<\/span><\/p>\n

\u00ab Notre HD TSV en cuivre de 1 x 6 microns offre une r\u00e9sistance \u00e9lectrique et des performances d’isolation am\u00e9lior\u00e9es par rapport \u00e0 notre HD TSV de 1 x 10 microns, gr\u00e2ce \u00e0 un processus d’amincissement optimis\u00e9 qui nous a permis de r\u00e9duire l’\u00e9paisseur du substrat avec une bonne uniformit\u00e9, \u00bb a d\u00e9clar\u00e9 le chercheur St\u00e9phan Borel.<\/span><\/p>\n

\u00ab Cette hauteur r\u00e9duite a entra\u00een\u00e9 une diminution de 40 % de la r\u00e9sistance \u00e9lectrique, proportionnellement \u00e0 la r\u00e9duction de la longueur. La r\u00e9duction simultan\u00e9e du rapport d’aspect a augment\u00e9 la couverture des marches du rev\u00eatement d’isolation, conduisant \u00e0 une meilleure tenue \u00e0 la tension \u00bb, a-t-il ajout\u00e9.<\/span><\/p>\n

\u00ab Avec ces r\u00e9sultats, le CEA-Leti est d\u00e9sormais clairement identifi\u00e9 comme un leader mondial dans ce nouveau domaine d\u00e9di\u00e9 \u00e0 la pr\u00e9paration de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration d’imageurs intelligents \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Ollier. \u00ab\u00a0Ces nouveaux imageurs intelligents multicouches 3D avec Edge AI impl\u00e9ment\u00e9s dans le capteur lui-m\u00eame constitueront une v\u00e9ritable avanc\u00e9e dans le domaine de l’imagerie, car Edge AI augmentera les performances de l’imageur et permettra de nombreuses nouvelles applications.\u00a0\u00bb<\/span><\/p>\n

www.leti-cea.com<\/span><\/a>\u00a0; \u00a0\u00a0<\/span>https:\/\/irtnanoelec.fr\/actualites\/smart-imager-from-imaging-to-vision-sensing\/<\/span><\/a><\/p>\n

 <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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