{"id":446637,"date":"2024-03-20T15:52:30","date_gmt":"2024-03-20T14:52:30","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=446637"},"modified":"2024-03-20T15:52:30","modified_gmt":"2024-03-20T14:52:30","slug":"les-microcontroleurs-st-passent-au-fdsoi-18-nm-et-pcm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/les-microcontroleurs-st-passent-au-fdsoi-18-nm-et-pcm\/","title":{"rendered":"Les microcontr\u00f4leurs ST passent au FDSOI 18 nm et PCM"},"content":{"rendered":"

STMicroelectronics NV a annonc\u00e9 l’introduction commerciale d’un processus de fabrication de puces bas\u00e9 sur le FDSOI (silicium sur isolant enti\u00e8rement appauvri) de 18 nm avec m\u00e9moire \u00e0 changement de phase (PCM) int\u00e9gr\u00e9e.<\/h2>\n

Les premiers microcontr\u00f4leurs STM32 bas\u00e9s sur le FDSOI 18 nm commenceront \u00e0 \u00eatre \u00e9chantillonn\u00e9s aupr\u00e8s de clients s\u00e9lectionn\u00e9s au cours du deuxi\u00e8me semestre de l’ann\u00e9e 24, la production de masse \u00e9tant pr\u00e9vue pour le deuxi\u00e8me semestre de l’ann\u00e9e 25, a d\u00e9clar\u00e9 ST.<\/p>\n

Le process a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9 conjointement avec Samsung Foundry et sera utilis\u00e9 pour les composants de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration dans les applications industrielles, de communication et de soins de sant\u00e9. Le premier microcontr\u00f4leur bas\u00e9 sur cette technologie int\u00e9grera le c\u0153ur ARM Cortex-M le plus avanc\u00e9 avec des performances accrues pour l’apprentissage automatique et le DSP.<\/p>\n

Outre l’utilisation de Samsung Foundry comme source de puces, STMicroelectronics utilisera le process en volume dans ses fabs europ\u00e9ennes, a d\u00e9clar\u00e9 Remi El-Ouazzane, pr\u00e9sident de la division microcontr\u00f4leurs, circuits int\u00e9gr\u00e9s num\u00e9riques et RF de ST.<\/p>\n

\u00c0 la question de savoir si Samsung Foundry serait libre de fournir le process 18 nm \u00e0 d’autres clients, M. El-Ouazzane a r\u00e9pondu qu’il n’avait pas encore \u00e9t\u00e9 r\u00e9v\u00e9l\u00e9 si Samsung Foundry serait libre d’offrir le FDSOI 18 nm.<\/p>\n

L’adoption de la technologie FDSOI 18 nm avec PCM int\u00e9gr\u00e9e permet d’am\u00e9liorer les performances et l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des applications embarqu\u00e9es, tout en autorisant des tailles de m\u00e9moire plus importantes et des niveaux d’int\u00e9gration plus \u00e9lev\u00e9s des p\u00e9riph\u00e9riques analogiques et num\u00e9riques, a d\u00e9clar\u00e9 l’entreprise.<\/p>\n

Le processus de fabrication est capable de fonctionner \u00e0 3V pour alimenter les fonctions analogiques telles que la gestion de l’alimentation, les syst\u00e8mes de r\u00e9initialisation, les sources d’horloge et les convertisseurs num\u00e9riques\/analogiques, et il s’agit du seul processus sub-20nm capable de le faire, selon ST.<\/p>\n

Flash ne s’adapte pas en dessous de 40nm<\/h4>\n

Jusqu’\u00e0 pr\u00e9sent, les principaux microcontr\u00f4leurs STM32 \u00e9taient bas\u00e9s sur un CMOS de 40 nm et utilisaient la m\u00e9moire flash pour la m\u00e9moire non volatile int\u00e9gr\u00e9e, mais la m\u00e9moire flash a des difficult\u00e9s \u00e0 s’adapter en dessous de 40 nm, en partie \u00e0 cause de la taille importante des cellules de m\u00e9moire et de la surface occup\u00e9e par les pompes de charge pour mettre en \u0153uvre des tensions \u00e9lev\u00e9es.<\/p>\n

D’autres entreprises et fonderies ont adopt\u00e9 l’utilisation de la m\u00e9moire vive magn\u00e9tique et de la m\u00e9moire vive r\u00e9sistive \u00e0 base d’oxyde de m\u00e9tal comme m\u00e9moires int\u00e9gr\u00e9es pour les circuits int\u00e9gr\u00e9s. Cependant, ST a persist\u00e9 avec la recherche sur la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase pendant des d\u00e9cennies. La soci\u00e9t\u00e9 a d\u00e9j\u00e0 introduit la PCM int\u00e9gr\u00e9e pour les applications automobiles et a\u00e9rospatiales sur FDSOI 28 nm (voir ST samples embedded phase change memory for automotive applications<\/a>).<\/p>\n

Mais les progr\u00e8s ont continu\u00e9 \u00e0 \u00eatre laborieux et la migration vers 18nm est en cours de d\u00e9veloppement depuis un certain temps. Des chercheurs de Samsung et de ST ont pr\u00e9sent\u00e9 la plate-forme logique \u00e0 technologie FDSOI 18 nm avec m\u00e9moire \u00e0 changement de phase int\u00e9gr\u00e9e lors de la conf\u00e9rence IEDM de d\u00e9cembre 2021 (voir Samsung, ST report phase-change memory on 18nm FDSOI<\/a>).<\/p>\n

Ricardo De-Sa-Earp, vice-pr\u00e9sident ex\u00e9cutif responsable des microcontr\u00f4leurs \u00e0 usage g\u00e9n\u00e9ral, a d\u00e9clar\u00e9 : \u00ab\u00a0Nous allons maintenant passer \u00e0 la PCM pour les microcontr\u00f4leurs industriels STM32\u00a0\u00bb. Il a ajout\u00e9 que le process global permet d’am\u00e9liorer de 50 % le rapport performance\/puissance, avec une m\u00e9moire non volatile beaucoup plus dense et une am\u00e9lioration de 3 dB du bruit RF.<\/p>\n

R\u00e9silience thermique<\/h4>\n

Le PCM n’a pas encore \u00e9t\u00e9 largement adopt\u00e9 par l’industrie \u00e9lectronique. La m\u00eame technologie de base, le changement de phase dans les compos\u00e9s de germanium, d’antimoine et de tellure. Elle a servi de base \u00e0 la technologie de m\u00e9moire de stockage 3D XPoint d’Intel, qui a aujourd’hui \u00e9chou\u00e9. Elle a acquis la r\u00e9putation d’\u00eatre sensible aux erreurs de temp\u00e9rature et de diaphonie thermique parce que les cellules de m\u00e9moire fonctionnent sur la base d’un changement de phase d\u00e9clench\u00e9 thermiquement entre des \u00e9tats amorphes et cristallins avec des r\u00e9sistivit\u00e9s diff\u00e9rentes.<\/p>\n

Toutefois, ST s’est fait le champion de l’utilisation du PCM et la recherche sur les m\u00e9langes de mat\u00e9riaux propri\u00e9taires pourrait avoir fourni \u00e0 ST un mat\u00e9riau thermiquement robuste dans les plages de temp\u00e9rature de l’automobile et de l’a\u00e9rospatiale et, par cons\u00e9quent, dans la plage de temp\u00e9rature industrielle.<\/p>\n

Les dirigeants de ST n’ont pas voulu dire exactement quel type de dispositif de s\u00e9lection est utilis\u00e9 dans ses r\u00e9seaux PCM. \u00ab\u00a0Nous sommes en mesure d’utiliser un s\u00e9lecteur monodirectionnel qui permet au PCM d’\u00eatre tr\u00e8s efficace en termes de densit\u00e9 et de fiabilit\u00e9\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. El-Ouazzane.<\/p>\n

Interrog\u00e9 sur la capacit\u00e9 de STMicroelectronics \u00e0 fournir des volumes \u00e0 partir de ses propres usines, M. El-Ouazzane a indiqu\u00e9 que le fait de devoir fabriquer sur plusieurs sites pour soutenir la r\u00e9silience de la cha\u00eene d’approvisionnement locale n’est pas optimal, mais que ST est pr\u00eat \u00e0 le faire.<\/p>\n

\u00ab\u00a0Le process 18nm est un grand pas en avant. Il va amplifier l’avance que ST poss\u00e8de avec les microcontr\u00f4leurs STM32 dans la d\u00e9cennie \u00e0 venir\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 M. El-Ouazzane.<\/p>\n

Liens et articles connexes :<\/h4>\n

www.st.com<\/a><\/p>\n

Articles de presse :<\/h4>\n

Samsung et ST annoncent une m\u00e9moire \u00e0 changement de phase sur FDSOI 18 nm<\/a><\/p>\n

ST pr\u00e9sente un MCU dot\u00e9 d’une m\u00e9moire \u00e0 changement de phase int\u00e9gr\u00e9e<\/a><\/p>\n

La m\u00e9moire \u00e0 s\u00e9lecteur gagne des partisans, dont SK Hynix<\/a><\/p>\n

ST pr\u00e9sente des \u00e9chantillons de m\u00e9moire \u00e0 changement de phase int\u00e9gr\u00e9e pour les applications automobiles<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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