{"id":445413,"date":"2024-03-05T19:34:45","date_gmt":"2024-03-05T18:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=445413"},"modified":"2024-03-05T19:34:45","modified_gmt":"2024-03-05T18:34:45","slug":"epc-annonce-le-premier-fet-gan-avec-une-resistance-a-letat-passant-de-1-milliohms","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/epc-annonce-le-premier-fet-gan-avec-une-resistance-a-letat-passant-de-1-milliohms\/","title":{"rendered":"EPC annonce le premier FET GaN avec une r\u00e9sistance \u00e0 l’\u00e9tat passant de 1 milliohms"},"content":{"rendered":"

La soci\u00e9t\u00e9 californienne Efficient Power Conversion – EPC,\u00a0 fait partie des soci\u00e9t\u00e9s en pointes dans les FET et circuits\u00a0 int\u00e9gr\u00e9s de puissance en nitrure de gallium (GaN). EPC\u00a0 a r\u00e9cemment pr\u00e9sent\u00e9 le FET GaN EPC2361 qui offre une densit\u00e9 de puissance plus \u00e9lev\u00e9e pour de nombreuses applications.\u00a0<\/span><\/h3>\n

L’EPC2361 est un\u00a0 FET GaN qui offre la plus faible r\u00e9sistance \u00e0 l’enclenchement du march\u00e9, avec une densit\u00e9 de puissance deux fois sup\u00e9rieure \u00e0 celle des produits EPC de la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente.\u00a0 Le RDS(on)<\/sub> typique n’est\u00a0 que de 1 mOhm dans un bo\u00eetier QFN am\u00e9lior\u00e9 thermiquement de seulement 3 mm x 5 mm. Le RDS(on)<\/sub> x surface maximum de l’EPC2361 est de 15 m\u03a9*mm2–<\/sup> soit cinq fois moins que les MOSFET silicium 100 V comparables.<\/p>\n

Des performances de pointe<\/strong><\/p>\n

Gr\u00e2ce \u00e0 sa r\u00e9sistance ultra-faible \u00e0 l’enclenchement, l’EPC2361 permet d’augmenter la densit\u00e9 de puissance et l’efficacit\u00e9 des syst\u00e8mes de conversion de puissance, ce qui r\u00e9duit la consommation d’\u00e9nergie et la dissipation thermique. Cette avanc\u00e9e est particuli\u00e8rement significative pour des applications telles que le redressement synchrone CA-CC des blocs d’alimentation de forte puissance, la conversion CC-CC \u00e0 haute fr\u00e9quence pour les centres de donn\u00e9es, les entra\u00eenements de moteurs pour la mobilit\u00e9 \u00e9lectrique, la robotique, les drones et les MPPT solaires.<\/p>\n

Alex Lidow<\/strong>, PDG et cofondateur d’EPC explique : \u00ab\u00a0Notre nouveau FET GaN de 1 m\u03a9 continue de repousser les limites de ce qui est possible avec la technologie GaN, permettant \u00e0 nos clients de cr\u00e9er des syst\u00e8mes d’\u00e9lectronique de puissance plus efficaces, compacts et fiables\u00a0\u00bb.<\/p>\n

Carte de d\u00e9veloppement<\/b><\/p>\n

La carte de d\u00e9veloppement EPC90156<\/a> est un demi-pont int\u00e9grant le FET GaN EPC2361. Elle est con\u00e7ue pour une tension maximale de 100 V et un courant de sortie maximal de xx A. L’objectif de cette carte est de simplifier le processus d’\u00e9valuation des concepteurs de syst\u00e8mes d’alimentation afin d’acc\u00e9l\u00e9rer la mise sur le march\u00e9 de leurs produits. Cette carte de 50,8 x 50,8 mm est con\u00e7ue pour des performances de commutation optimales et contient tous les composants critiques pour une \u00e9valuation facile.<\/p>\n

Efficient\u00a0 Power Conversion – EPC<\/a><\/p>\n

Produits disponibles chez DigiKey<\/a><\/p>\n

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