{"id":445195,"date":"2024-03-04T08:56:38","date_gmt":"2024-03-04T07:56:38","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=445195"},"modified":"2024-03-03T18:10:14","modified_gmt":"2024-03-03T17:10:14","slug":"la-technologie-gan-en-pointe-a-lapec-2024","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/la-technologie-gan-en-pointe-a-lapec-2024\/","title":{"rendered":"La technologie GaN en pointe \u00e0 l&rsquo;APEC 2024"},"content":{"rendered":"<h3>L&rsquo;Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), qui s&rsquo;est tenue \u00e0 Long Beach la semaine derni\u00e8re, a mis en lumi\u00e8re l&rsquo;innovation continue dans les nouveaux mat\u00e9riaux tels que le nitrure de gallium et les architectures de contr\u00f4leurs pour une conception \u00e0 plus haut rendement dans des empreintes plus petites.<\/h3>\n<p>Des start-ups telles que Cambridge GaN Devices, Pulsiv et Amber Semiconductor montrent comment elles font avancer la technologie de l&rsquo;\u00e9nergie \u00e0 l&rsquo;occasion de l&rsquo;APEC 2024, tandis qu&rsquo;Infineon, EPC et Analog Devices font baisser les co\u00fbts et pr\u00e9sentent des innovations cl\u00e9s.<\/p>\n<p>La start-up britannique Cambridge GaN Devices a pr\u00e9sent\u00e9 de nouvelles conceptions de r\u00e9f\u00e9rence et a fait plusieurs d\u00e9monstrations de ses dispositifs GaN int\u00e9gr\u00e9s pour le march\u00e9 industriel.<\/p>\n<p>La conception de r\u00e9f\u00e9rence PFC\/LLC de 350 W a un rendement moyen de 93 % avec une densit\u00e9 de puissance de 23 W\/in3 et une consommation \u00e0 vide de 150 mW. L&rsquo;alimentation CrM Totem Pole PFC + Half-Bridge LLC a \u00e9t\u00e9 r\u00e9alis\u00e9e en utilisant la technologie ICeGaN s\u00e9rie H2 de CGD, 650 V, 55 m\u03a9, et d\u00e9livre une sortie de 20 V \/ 17,5 A.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/light-load-boost-for-integrated-gan-chip\/\">Une puce GaN int\u00e9gr\u00e9e \u00e0 faible charge<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>Un onduleur solaire photovolta\u00efque de 3 kW d\u00e9velopp\u00e9 dans le cadre de l&rsquo;accord de partenariat conclu l&rsquo;ann\u00e9e derni\u00e8re avec Neways Electronics utilise les composants IceGaN pour atteindre un rendement maximal de 99,22 % gr\u00e2ce \u00e0 une commutation \u00e0 courant nul avec un contr\u00f4leur au silicium standard d&rsquo;Analog Devices.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/100v-chip-scale-gan-driver-has-smart-bootstrap\/\">Pilote GaN 100V \u00e0 l&rsquo;\u00e9chelle de la puce avec amor\u00e7age intelligent<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>\u00ab\u00a0Nous sommes parfaitement conscients des besoins croissants en \u00e9nergie des applications industrielles et de la n\u00e9cessit\u00e9 d&rsquo;un rendement \u00e9lev\u00e9\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Andrea Bricconi, directeur commercial de CGD.<\/p>\n<p>Par exemple, avec la prolif\u00e9ration de l&rsquo;intelligence artificielle (IA), la puissance demand\u00e9e par les centres de donn\u00e9es cro\u00eet de mani\u00e8re quasi exponentielle. D&rsquo;autres applications, telles que les onduleurs solaires, les amplificateurs, les transports et la mobilit\u00e9 intelligente, le contr\u00f4le des processus et la fabrication, s&rsquo;int\u00e9ressent \u00e9galement au GaN et les commentaires que nous avons re\u00e7us indiquent qu&rsquo;ils appr\u00e9cient la simplicit\u00e9 de notre approche &lsquo;Drive it Like a MOSFET'\u00a0\u00bb.<\/p>\n<p>Les dispositifs ICeGaN ont \u00e9t\u00e9 utilis\u00e9s par AGD Productions dans son amplificateur compact AGD DUET, d&rsquo;une puissance de 300W. C&rsquo;est la premi\u00e8re fois que la soci\u00e9t\u00e9 utilise un transistor de puissance 100 % GaN pour l&rsquo;\u00e9tage de puissance et l&rsquo;amplificateur.<\/p>\n<p>Enfin, le projet GaNext, un consortium de 13 partenaires de trois pays, a livr\u00e9 des modules de puissance compacts et intelligents de 1 kW comprenant des circuits int\u00e9gr\u00e9s de commande, de contr\u00f4le de la tension et de protection utilisant l&rsquo;ICeGaN de CGD.<\/p>\n<p>EPC a pr\u00e9sent\u00e9 le premier composant GaN de 100V avec une r\u00e9sistance \u00e0 l&rsquo;enclenchement inf\u00e9rieure \u00e0 1m\u03a9 afin d&rsquo;am\u00e9liorer l&rsquo;efficacit\u00e9 des conceptions de contr\u00f4le de moteur et Power Integrations a pr\u00e9sent\u00e9 un commutateur GaN plus int\u00e9gr\u00e9 pour les conceptions grand public.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/first-gan-fet-to-hit-1m%CF%89-on-resistance\/\">Premier FET GaN \u00e0 atteindre une r\u00e9sistance \u00e0 l&rsquo;enclenchement de 1m\u03a9<\/a><\/li>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/gan-switcher-combines-ac-dc-and-dc-dc-stages-to-slash-power\/\">Un commutateur GaN combine des \u00e9tages AC-DC et DC-DC pour r\u00e9duire la consommation d&rsquo;\u00e9nergie<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>La start-up britannique Pulsiv a pr\u00e9sent\u00e9 des mod\u00e8les de r\u00e9f\u00e9rence \u00e0 haut rendement utilisant son contr\u00f4leur Osmium, qui ouvrent la voie \u00e0 l&rsquo;int\u00e9gration de la conversion d&rsquo;\u00e9nergie dans les prises murales, \u00e9liminant ainsi le besoin d&rsquo;adaptateurs pour les t\u00e9l\u00e9phones et les ordinateurs portables.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/240w-in-wall-usb-c-charger-module-hits-95-efficiency\/\">Le module de chargeur USB-C mural de 240 W atteint une efficacit\u00e9 de 95 %.<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>La start-up am\u00e9ricaine AmberSemi a \u00e9galement pr\u00e9sent\u00e9 pour la premi\u00e8re fois son dispositif de gestion de l&rsquo;\u00e9nergie AC Direct DC Enabler, qui peut \u00eatre utilis\u00e9 pour fournir de l&rsquo;\u00e9nergie en courant continu.<\/p>\n<p>Il s&rsquo;agit de la premi\u00e8re puce de silicium commerciale d&rsquo;AmberSemi et elle est actuellement \u00e9valu\u00e9e par les clients en vue d&rsquo;une int\u00e9gration dans les produits finaux d\u00e8s le quatri\u00e8me trimestre 2024. L&rsquo;entreprise indique qu&rsquo;elle a r\u00e9alis\u00e9 des \u00e9valuations dans 30 sites cl\u00e9s de fabricants de produits \u00e9lectriques et de semi-conducteurs en Europe, aux \u00c9tats-Unis et en Asie.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/amber-semi-tapes-out-its-ac-dc-silicon\/\">Amber Semi abandonne son silicium AC-DC<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p>AmberSemi a pr\u00e9sent\u00e9 des mod\u00e8les de d\u00e9monstration de 4W, 2W et 1W, tous avec diff\u00e9rentes densit\u00e9s de puissance pour extraire le courant continu directement du r\u00e9seau \u00e9lectrique sans utiliser de ponts redresseurs, de transformateurs et de condensateurs massifs \u00e0 haute tension. Ces d\u00e9monstrations sont accompagn\u00e9es de deux d\u00e9monstrations de sa deuxi\u00e8me technologie, la plate-forme de contr\u00f4le AC Direct Switch. Cette m\u00e9thode a \u00e9t\u00e9 utilis\u00e9e pour les prises intelligentes \u00e0 semiconducteurs, les variateurs de lumi\u00e8re et les prototypes de disjoncteurs.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Nous sommes tr\u00e8s enthousiastes \u00e0 l&rsquo;id\u00e9e de pr\u00e9senter pour la premi\u00e8re fois \u00e0 l&rsquo;ensemble de l&rsquo;industrie notre Enabler AC Direct DC en silicium, car il s&rsquo;agit de l&rsquo;\u00e9tape la plus concr\u00e8te sur la voie de la commercialisation\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Thar Casey, PDG d&rsquo;AmberSemi.<\/p>\n<p>\u00ab\u00a0Au cours de l&rsquo;ann\u00e9e \u00e9coul\u00e9e, nous sommes pass\u00e9s rapidement de la phase de siliconage \u00e0 la phase de test de conception de notre technologie avec des clients Alpha, y compris de nombreux partenaires de premier plan dans l&rsquo;industrie des semiconducteurs. D\u00e8s la fin de cette ann\u00e9e, nous pr\u00e9voyons que la technologie d&rsquo;AmberSemi sera officiellement introduite sur le march\u00e9 par le biais de conceptions de r\u00e9f\u00e9rence collaboratives et d&rsquo;int\u00e9grations avec ces partenaires. En outre, les produits finaux, aliment\u00e9s par AmberSemi, devraient \u00eatre commercialis\u00e9s par nos partenaires \u00e0 partir de 2025. Avec tout cela en marche, nous pensons que seul le ciel est la limite de notre technologie.\u00a0\u00bb<\/p>\n<p>Infineon a pr\u00e9sent\u00e9 sa derni\u00e8re technologie d&rsquo;isolation \u00e0 l&rsquo;\u00e9tat solide sans noyau, qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement la consommation d&rsquo;\u00e9nergie, ainsi qu&rsquo;une alimentation verticale plus petite pour les modules d&rsquo;intelligence artificielle de grande puissance dans les centres de donn\u00e9es.<\/p>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/infineon-looks-to-2000a-for-ai-power-module\/\">Infineon mise sur 2000A pour son module d&rsquo;alimentation AI<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<ul>\n<li><a href=\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/redesigned-package-reduces-igbt-conduction-and-switching-losses\/\">Le bo\u00eetier redessin\u00e9 r\u00e9duit les pertes de conduction et de commutation de l&rsquo;IGBT<\/a><\/li>\n<\/ul>\n<p><a href=\"https:\/\/apec-conf.org\/\">apec-conf.org\/<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>L&rsquo;Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), qui s&rsquo;est tenue \u00e0 Long Beach la semaine derni\u00e8re, a mis en lumi\u00e8re l&rsquo;innovation continue dans les nouveaux mat\u00e9riaux tels que le nitrure de gallium et les architectures de contr\u00f4leurs pour une conception \u00e0 plus haut rendement dans des empreintes plus petites. 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