{"id":437001,"date":"2023-11-14T09:23:16","date_gmt":"2023-11-14T08:23:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ecinews.fr\/?p=437001"},"modified":"2023-11-14T09:23:16","modified_gmt":"2023-11-14T08:23:16","slug":"un-accord-tripartite-pour-concevoir-et-developper-des-adaptateurs-gan-avances","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/un-accord-tripartite-pour-concevoir-et-developper-des-adaptateurs-gan-avances\/","title":{"rendered":"Un accord tripartite pour concevoir et d\u00e9velopper des adaptateurs GaN avanc\u00e9s"},"content":{"rendered":"<h3><span style=\"font-size: 16px;\">La soci\u00e9t\u00e9 de semi-conducteurs fabless et clean-tech Cambridge GaN Devices a sign\u00e9 un accord tripartite avec\u00a0<a href=\"https:\/\/camgandevices.com\/\">Chicony Power Technology Co., Ltd\u00a0<\/a>\u00a0\u00e0 Ta\u00efwan et avec\u00a0Cambridge University Technical Services (CUTS), au Royaume-Uni, pour concevoir et d\u00e9velopper des adaptateurs GaN avanc\u00e9s offrant une grande efficacit\u00e9 et une haute densit\u00e9 de puissance ainsi que des\u00a0produits d&rsquo;alimentation pour centres de donn\u00e9es.<\/span><\/h3>\n<p>Chicony Power est\u00a0un fournisseur bien \u00e9tabli de solutions compl\u00e8tes de syst\u00e8mes d&rsquo;\u00e9lectronique de puissance ax\u00e9 sur les alimentations et les adaptateurs pour diverses applications, notamment les ordinateurs portables, les ordinateurs de bureau, les consoles de jeu et les solutions serveur\/cloud. Le professeur Florin Udrea, chef du groupe de micro\u00e9lectronique haute tension et de capteurs (HVMS) \u00e0 l&rsquo;Universit\u00e9 de Cambridge, agira en tant que consultant principal pour le compte de CUTS. Le groupe HVMS de l&rsquo;Universit\u00e9 de Cambridge a un historique de 25 ans dans la conception de composants de puissance, les simulations TCAD et la caract\u00e9risation de composants de puissance. Les trois parties collaboreront autour d&rsquo;un projet technique intitul\u00e9 \u00ab SMPS (alimentations \u00e0 d\u00e9coupage) innovantes de faible puissance et de haute puissance avec des solutions GaN avanc\u00e9es \u00bb.<\/p>\n<p>CGD entretient des liens historiques et permanents avec l&rsquo;Universit\u00e9 de Cambridge par l&rsquo;interm\u00e9diaire de sa PDG, Giorgia Longobardi, et de son directeur technique, Florin Udrea, qui dirige toujours le groupe HVMS. Chicony Power est un leader mondial des alimentations \u00e0 d\u00e9coupage \u00e0 la pointe de l&rsquo;innovation technologique, et le groupe HVMS de l&rsquo;Universit\u00e9 de Cambridge est r\u00e9put\u00e9 pour ses recherches et ses innovations dans le domaine des composants semi-conducteurs de puissance, de sorte que\u00a0cette collaboration repr\u00e9sente la cr\u00e9ation d&rsquo;un \u00e9cosyst\u00e8me GaN significatif, compos\u00e9 d&rsquo;une expertise dans les syst\u00e8mes et les applications, dans la recherche et dans les composants. Le projet devrait fournir des prototypes SMPS pour des adaptateurs haute densit\u00e9 et \u00e0 tr\u00e8s haute efficacit\u00e9 pour les ordinateurs portables \u2013 o\u00f9 Chicony Power est le leader du march\u00e9 \u2013 et une unit\u00e9 d&rsquo;alimentation Titanium + haute efficacit\u00e9 et \u00e0 haute densit\u00e9 de puissance (&gt; 100W\/inch<sup>3<\/sup>) CRPS ainsi qu\u2019une alimentation de puissance OCP\u00a0(3 kW ~ 6 kW) pour les centres de donn\u00e9es et les applications de serveurs d&rsquo;IA.<\/p>\n<p>R\u00e9cemment, CGD a lanc\u00e9 la deuxi\u00e8me s\u00e9rie de sa famille ICeGaN 650 V de HEMT au nitrure de gallium. Les HEMT ICeGaN de la s\u00e9rie H2 utilisent l&rsquo;interface de grille intelligente de CGD qui \u00e9limine pratiquement toutes les faiblesses GaN typiques du mode-e, offrant une robustesse consid\u00e9rablement am\u00e9lior\u00e9e en cas de surtension, un seuil d&rsquo;immunit\u00e9 au bruit plus \u00e9lev\u00e9, une suppression dV\/dt et une protection contre les d\u00e9charges \u00e9lectrostatiques. \u00c0 l&rsquo;instar des composants de la g\u00e9n\u00e9ration pr\u00e9c\u00e9dente, les nouveaux transistors ICeGaN H2 de 650 V sont simples \u00e0 piloter \u00e0 l&rsquo;aide de pilotes de grille disponibles dans le commerce. Enfin, les HEMT H2 ICeGaN pr\u00e9sentent un Q<sub>G\u00a0<\/sub>\u00a010 x inf\u00e9rieur \u00e0 celui des composants en silicium et un Q<sub>OSS<\/sub>\u00a05 x inf\u00e9rieur. Cela r\u00e9duit consid\u00e9rablement les pertes de commutation, avec des r\u00e9ductions correspondantes de la taille et du poids.<\/p>\n<p><a title=\"www.camdevices.com\u00a0\" href=\"http:\/\/www.camdevices.com\u00a0\">www.camdevices.com\u00a0<\/a><\/p>\n<p><a href=\"https:\/\/news.google.com\/publications\/CAAqBwgKMJbcwQswuPfYAw?hl=fr&amp;gl=BE&amp;ceid=BE:fr\">Suivre ECInews sur Google news<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>La soci\u00e9t\u00e9 de semi-conducteurs fabless et clean-tech Cambridge GaN Devices a sign\u00e9 un accord tripartite avec\u00a0Chicony Power Technology Co., Ltd\u00a0\u00a0\u00e0 Ta\u00efwan et avec\u00a0Cambridge University Technical Services (CUTS), au Royaume-Uni, pour concevoir et d\u00e9velopper des adaptateurs GaN avanc\u00e9s offrant une grande efficacit\u00e9 et une haute densit\u00e9 de puissance ainsi que des\u00a0produits d&rsquo;alimentation pour centres de donn\u00e9es. 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