{"id":409050,"date":"2022-12-20T20:58:29","date_gmt":"2022-12-20T19:58:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/?p=409050"},"modified":"2022-12-21T08:55:39","modified_gmt":"2022-12-21T07:55:39","slug":"mosfet-rohm-a-haut-rendement-et-fonctionnement-plus-sur","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/mosfet-rohm-a-haut-rendement-et-fonctionnement-plus-sur\/","title":{"rendered":"MOSFET \u00e0 haut rendement et fonctionnement plus s\u00fbr"},"content":{"rendered":"

Rohm a mis au point le MOSFET RA1C030LD \u00e0 canal N 20 V compact et \u00e0 haut rendement, optimis\u00e9 pour la commutation dans des appareils miniatures et minces, mais \u00e9galement dans les smartphones et les produits comme les oreillettes sans fil et autres \u00e9quipements auditifs.<\/strong><\/p>\n

En quelques ann\u00e9es, la sophistication et les besoins en \u00e9nergie croissants des appareils compacts se sont traduits par des batteries plus volumineuses et par voie de cons\u00e9quence, moins d’espace disponible pour les composants. D’un autre c\u00f4t\u00e9, la taille de la batterie \u00e9tant forc\u00e9ment limit\u00e9e, pour garantir une utilisation efficace de l’\u00e9nergie, la consommation des composants embarqu\u00e9s doit \u00eatre minimum.\u00a0<\/p>\n

Rohm a donc d\u00e9velopp\u00e9 un MOSFET de la taille dune puce au niveau des tranches (WLCSP) qui favorisent une plus grande miniaturisation en conservant les caract\u00e9ristiques qui permettent de g\u00e9n\u00e9raliser leur utilisation dans l’industrie. Le MOSFET RA1C030LD r\u00e9duit de mani\u00e8re significative la r\u00e9sistance du c\u00e2blage (qui a augment\u00e9 avec les processus discrets conventionnels). Le r\u00e9sultat est un MOSFET de puissance compact qui offre une faible perte de charge.<\/p>\n

Le RA1C030LD est propos\u00e9 dans le bo\u00eetier DSN1006-3 de la taille d’une puce au niveau de la tranche (1,0 \u00d7 0,6 mm) qui tire parti du processus de CI propri\u00e9taire de Rohm pour obtenir une faible dissipation d’\u00e9nergie et une plus grande miniaturisation. concernant le facteur de performance qui traduit la relation entre les pertes de conduction et de commutation (r\u00e9sistance \u00e0 l’\u00e9tat passant \u00d7 Qgd), une valeur de r\u00e9f\u00e9rence a \u00e9t\u00e9 atteinte, inf\u00e9rieure de 20 % \u00e0 celle des produits standard dans le m\u00eame bo\u00eetier (1,0 \u00d7 0,6 mm ou moins), ce qui permet de r\u00e9duire drastiquement la surface de la carte en am\u00e9liorant l’efficacit\u00e9 de nombreux dispositifs compacts. En m\u00eame temps, la structure exclusive du bo\u00eetier de Rohm apporte l’isolement des parois lat\u00e9rales (contrairement aux produits standard dans le m\u00eame bo\u00eetier sans protection). De ce fait, dans les appareils compacts qui doivent recourir \u00e0 un montage haute densit\u00e9, le risque de court-circuit d\u00fb au contact entre les composants est r\u00e9duit et contribue \u00e0 un fonctionnement plus s\u00fbr.<\/p>\n

Les applications comprennent les appareils auditifs tels que les oreillettes sans fil, les appareils portables, les montres intelligentes, les lunettes intelligentes, les cam\u00e9ras de loisirs sportifs, les smartphones, ainsi que la commutation dans une large gamme d’appareils minces et compacts industriels.<\/p>\n

ROHM<\/a><\/p>\n

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