{"id":40426,"date":"2020-11-20T07:50:44","date_gmt":"2020-11-20T07:50:44","guid":{"rendered":"https:\/\/\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/"},"modified":"2020-11-20T07:50:44","modified_gmt":"2020-11-20T07:50:44","slug":"transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/","title":{"rendered":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance"},"content":{"rendered":"

D\u00e9velopp\u00e9s \u00e0 partir des mat\u00e9riaux en nitrure de gallium et des capacit\u00e9s de traitement propri\u00e9taires de TI, sur un substrat en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), ces nouveaux transistors sont plus avantageux que les solutions sur des substrats comparables (par exemple le carbure de silicium, ou SiC) en termes de co\u00fbt et d\u2019approvisionnement. <\/p>\n

L\u2019\u00e9lectrification m\u00e9tamorphose l\u2019industrie automobile. De plus en plus de consommateurs r\u00e9clament une capacit\u00e9 de charge plus rapide et une plus grande autonomie. Pour les ing\u00e9nieurs, le d\u00e9fi consiste donc \u00e0 concevoir des syst\u00e8mes compacts, l\u00e9gers, sans compromis sur les performances des v\u00e9hicules. Les nouveaux transistors FET en nitrure de gallium (GaN) de TI d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile participent \u00e0 r\u00e9duire jusqu\u2019\u00e0 50 % la taille des chargeurs embarqu\u00e9s et des convertisseurs CC\/CC des v\u00e9hicules \u00e9lectriques par rapport aux solutions en silicium (Si) ou en carbure de silicium (SiC) existantes, permettant ainsi d\u2019am\u00e9liorer l\u2019autonomie de la batterie, de renforcer la fiabilit\u00e9 des syst\u00e8mes et de diminuer les co\u00fbts de conception. En mati\u00e8re de syst\u00e8mes industriels, ces nouveaux composants garantissent une efficacit\u00e9 et une densit\u00e9 de puissance \u00e9lev\u00e9es sur les applications d\u2019alimentation CA\/CC, pour lesquelles il importe de limiter les pertes et la place occup\u00e9e sur le circuit imprim\u00e9. Sont concern\u00e9s, notamment, les plateformes num\u00e9riques hyperscale ou d\u2019entreprise, ou encore les redresseurs des r\u00e9seaux de t\u00e9l\u00e9communication 5G. <\/p>\n

\u00ab Par nature, les technologies de semiconducteurs \u00e0 large bande interdite, comme le nitrure de gallium, garantissent des performances solidement \u00e9tablies en \u00e9lectronique de puissance, tout particuli\u00e8rement pour les syst\u00e8mes haute tension \u00bb indique Asif Anwar, directeur du d\u00e9partement Groupe motopropulseur, caisse, ch\u00e2ssis et s\u00e9curit\u00e9 chez Strategy Analytics. \u00ab Texas Instruments s\u2019appuie sur plus d\u2019une d\u00e9cennie d\u2019investissements et de travaux de d\u00e9veloppement pour proposer une approche globale unique, qui combine la production et la mise en bo\u00eetier en interne de composants en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), et un pilote en silicium optimis\u00e9 destin\u00e9 \u00e0 r\u00e9ussir l\u2019int\u00e9gration de la technologie GaN \u00e0 de nouvelles applications. \u00bb <\/p>\n

\u00ab Les applications industrielles et automobiles r\u00e9clament de plus en plus de puissance dans un espace de plus en plus r\u00e9duit, et les ing\u00e9nieurs doivent proposer des syst\u00e8mes de gestion de l\u2019alimentation \u00e9prouv\u00e9s, capables de fonctionner de mani\u00e8re fiable sur toute la dur\u00e9e de vie de l\u2019\u00e9quipement final \u2013 qui est longue \u00bb explique Steve Lambouses, vice-pr\u00e9sident charg\u00e9 de l\u2019alimentation haute tension chez TI. \u00ab Gr\u00e2ce \u00e0 ses performances \u00e9tay\u00e9es par plus de 40 millions d\u2019heures de fonctionnement sur diff\u00e9rents appareils et plus de 5 GWh de conversion de puissance dans le cadre de tests d\u2019applications, la technologie au nitrure de gallium de TI offre la fiabilit\u00e9 de fonctionnement \u00e0 long terme dont les ing\u00e9nieurs ont besoin, quel que soit leur secteur. \u00bb<\/p>\n

Doubler la puissance volumique avec moins de composants<\/u><\/strong><\/p>\n

Sur les applications haute tension et haute densit\u00e9, optimiser le gain de place sur le circuit imprim\u00e9 est un facteur de conception important. \u00c0 mesure que les syst\u00e8mes \u00e9lectroniques se miniaturisent, leurs composants doivent \u00e9galement devenir plus petits et se rapprocher les uns des autres. Le nouveau transistor FET en nitrure de gallium de TI int\u00e8gre un pilote \u00e0 commutation rapide ainsi que des fonctions de protection interne et de d\u00e9tection de temp\u00e9rature, permettant aux ing\u00e9nieurs de proposer des syst\u00e8mes de gestion de l\u2019alimentation ultra performants tout en r\u00e9duisant la place qu\u2019ils occupent sur les circuits imprim\u00e9s. Gr\u00e2ce \u00e0 ce pilote, ainsi qu\u2019\u00e0 la puissance volumique \u00e9lev\u00e9e de la technologie au nitrure de gallium de TI, ils peuvent \u00e9liminer plus de 10 composants g\u00e9n\u00e9ralement n\u00e9cessaires sur les solutions de base. De plus, chacun de ces nouveaux transistors FET 30 m\u2126 peut g\u00e9rer une conversion de puissance maximale de 4 kW dans une configuration en demi-pont. <\/p>\n

www.ti.com\/LMG3425R030-pr-eu<\/a><\/p>\n

www.ti.com\/LMG3525R030-Q1-pr-eu<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Texas Instruments \u00e9toffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l\u2019alimentation haute tension en y ajoutant des transistors \u00e0 effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, d\u00e9di\u00e9s aux applications automobiles et industrielles. Gr\u00e2ce \u00e0 un pilote de grille int\u00e9gr\u00e9 de 2,2 MHz \u00e0 commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ing\u00e9nieurs \u00e0 doubler la densit\u00e9 de puissance de leurs syst\u00e8mes, \u00e0 garantir une disponibilit\u00e9 de 99 % et \u00e0 r\u00e9duire de 59 % la taille des composants magn\u00e9tiques de puissance par rapport aux solutions existantes.<\/p>\n","protected":false},"author":9,"featured_media":40427,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[881],"tags":[],"domains":[47],"ppma_author":[1141],"class_list":["post-40426","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-nouveaux-produits","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Texas Instruments \u00e9toffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l\u2019alimentation haute tension en y ajoutant des transistors \u00e0 effet de champ (FET)...\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Texas Instruments \u00e9toffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l\u2019alimentation haute tension en y ajoutant des transistors \u00e0 effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, d\u00e9di\u00e9s aux applications automobiles et industrielles. Gr\u00e2ce \u00e0 un pilote de grille int\u00e9gr\u00e9 de 2,2 MHz \u00e0 commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ing\u00e9nieurs \u00e0 doubler la densit\u00e9 de puissance de leurs syst\u00e8mes, \u00e0 garantir une disponibilit\u00e9 de 99 % et \u00e0 r\u00e9duire de 59 % la taille des composants magn\u00e9tiques de puissance par rapport aux solutions existantes.\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"EENewsEurope\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2020-11-20T07:50:44+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/import\/default\/files\/sites\/default\/files\/images\/eci8911_ti.jpg\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:width\" content=\"2100\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:height\" content=\"1182\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:type\" content=\"image\/jpeg\" \/>\n<meta name=\"author\" content=\"Alain Dieul\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Written by\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Alain Dieul\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Est. reading time\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"4 minutes\" \/>\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\/\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"Article\",\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#article\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/\"},\"author\":{\"name\":\"Alain Dieul\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/568c789a4794bd460460501ba91f5daf\"},\"headline\":\"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance\",\"datePublished\":\"2020-11-20T07:50:44+00:00\",\"dateModified\":\"2020-11-20T07:50:44+00:00\",\"mainEntityOfPage\":{\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/\"},\"wordCount\":721,\"publisher\":{\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization\"},\"articleSection\":[\"Nouveaux produits\"],\"inLanguage\":\"fr-FR\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/\",\"url\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/\",\"name\":\"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance -\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#website\"},\"datePublished\":\"2020-11-20T07:50:44+00:00\",\"dateModified\":\"2020-11-20T07:50:44+00:00\",\"breadcrumb\":{\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#breadcrumb\"},\"inLanguage\":\"fr-FR\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/\"]}]},{\"@type\":\"BreadcrumbList\",\"@id\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#breadcrumb\",\"itemListElement\":[{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":1,\"name\":\"Home\",\"item\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/\"},{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":2,\"name\":\"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance\"}]},{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#website\",\"url\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/\",\"name\":\"EENewsEurope\",\"description\":\"Just another WordPress site\",\"publisher\":{\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization\"},\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":{\"@type\":\"EntryPoint\",\"urlTemplate\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/?s={search_term_string}\"},\"query-input\":\"required name=search_term_string\"}],\"inLanguage\":\"fr-FR\"},{\"@type\":\"Organization\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization\",\"name\":\"EENewsEurope\",\"url\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/\",\"logo\":{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"fr-FR\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/logo\/image\/\",\"url\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2022\/02\/logo-1.jpg\",\"contentUrl\":\"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2022\/02\/logo-1.jpg\",\"width\":283,\"height\":113,\"caption\":\"EENewsEurope\"},\"image\":{\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/logo\/image\/\"}},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/568c789a4794bd460460501ba91f5daf\",\"name\":\"Alain Dieul\",\"image\":{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"fr-FR\",\"@id\":\"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/image\/6d32dc651fbcef3b338066625b118364\",\"url\":\"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/93708ec89b35deb10f4cfbfe144b4e07?s=96&d=mm&r=g\",\"contentUrl\":\"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/93708ec89b35deb10f4cfbfe144b4e07?s=96&d=mm&r=g\",\"caption\":\"Alain Dieul\"}}]}<\/script>","yoast_head_json":{"title":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0...","description":"Texas Instruments \u00e9toffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l\u2019alimentation haute tension en y ajoutant des transistors \u00e0 effet de champ (FET)...","robots":{"index":"index","follow":"follow","max-snippet":"max-snippet:-1","max-image-preview":"max-image-preview:large","max-video-preview":"max-video-preview:-1"},"canonical":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426\/","og_locale":"fr_FR","og_type":"article","og_title":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance","og_description":"Texas Instruments \u00e9toffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l\u2019alimentation haute tension en y ajoutant des transistors \u00e0 effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, d\u00e9di\u00e9s aux applications automobiles et industrielles. Gr\u00e2ce \u00e0 un pilote de grille int\u00e9gr\u00e9 de 2,2 MHz \u00e0 commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ing\u00e9nieurs \u00e0 doubler la densit\u00e9 de puissance de leurs syst\u00e8mes, \u00e0 garantir une disponibilit\u00e9 de 99 % et \u00e0 r\u00e9duire de 59 % la taille des composants magn\u00e9tiques de puissance par rapport aux solutions existantes.","og_url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426\/","og_site_name":"EENewsEurope","article_published_time":"2020-11-20T07:50:44+00:00","og_image":[{"width":2100,"height":1182,"url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/import\/default\/files\/sites\/default\/files\/images\/eci8911_ti.jpg","type":"image\/jpeg"}],"author":"Alain Dieul","twitter_card":"summary_large_image","twitter_misc":{"Written by":"Alain Dieul","Est. reading time":"4 minutes"},"schema":{"@context":"https:\/\/schema.org","@graph":[{"@type":"Article","@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#article","isPartOf":{"@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/"},"author":{"name":"Alain Dieul","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/568c789a4794bd460460501ba91f5daf"},"headline":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance","datePublished":"2020-11-20T07:50:44+00:00","dateModified":"2020-11-20T07:50:44+00:00","mainEntityOfPage":{"@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/"},"wordCount":721,"publisher":{"@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization"},"articleSection":["Nouveaux produits"],"inLanguage":"fr-FR"},{"@type":"WebPage","@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/","url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/","name":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance -","isPartOf":{"@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#website"},"datePublished":"2020-11-20T07:50:44+00:00","dateModified":"2020-11-20T07:50:44+00:00","breadcrumb":{"@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#breadcrumb"},"inLanguage":"fr-FR","potentialAction":[{"@type":"ReadAction","target":["https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/"]}]},{"@type":"BreadcrumbList","@id":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/transistors-a-effet-de-champ-au-nitrure-de-gallium-dedies-a-lautomobile-avec-gestion-active-de-la-puissance\/#breadcrumb","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"name":"Home","item":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/"},{"@type":"ListItem","position":2,"name":"Transistors \u00e0 effet de champ au nitrure de gallium d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019automobile avec gestion active de la puissance"}]},{"@type":"WebSite","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#website","url":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/","name":"EENewsEurope","description":"Just another WordPress site","publisher":{"@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization"},"potentialAction":[{"@type":"SearchAction","target":{"@type":"EntryPoint","urlTemplate":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/?s={search_term_string}"},"query-input":"required name=search_term_string"}],"inLanguage":"fr-FR"},{"@type":"Organization","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#organization","name":"EENewsEurope","url":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/","logo":{"@type":"ImageObject","inLanguage":"fr-FR","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/logo\/image\/","url":"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2022\/02\/logo-1.jpg","contentUrl":"https:\/\/www.ecinews.fr\/wp-content\/uploads\/2022\/02\/logo-1.jpg","width":283,"height":113,"caption":"EENewsEurope"},"image":{"@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/logo\/image\/"}},{"@type":"Person","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/568c789a4794bd460460501ba91f5daf","name":"Alain Dieul","image":{"@type":"ImageObject","inLanguage":"fr-FR","@id":"https:\/\/www.eenewseurope.com\/en\/#\/schema\/person\/image\/6d32dc651fbcef3b338066625b118364","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/93708ec89b35deb10f4cfbfe144b4e07?s=96&d=mm&r=g","contentUrl":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/93708ec89b35deb10f4cfbfe144b4e07?s=96&d=mm&r=g","caption":"Alain Dieul"}}]}},"authors":[{"term_id":1141,"user_id":9,"is_guest":0,"slug":"alaindieul","display_name":"Alain Dieul","avatar_url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/93708ec89b35deb10f4cfbfe144b4e07?s=96&d=mm&r=g","0":null,"1":"","2":"","3":"","4":"","5":"","6":"","7":"","8":""}],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/9"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=40426"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/40426\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/40427"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=40426"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=40426"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=40426"},{"taxonomy":"domains","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/domains?post=40426"},{"taxonomy":"author","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/ppma_author?post=40426"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}