Cette solution HBM offre des performances DRAM sans précédent, plus de sept fois la limite de vitesse des DRAM actuelles, ce qui permet une réactivité accrue pour les tâches de calcul haute performance, notamment le traitement parallèle, le rendu graphique et l’apprentissage automatique.<\/p>\n
"En produisant la DRAM HBM2 de la prochaine génération en série, nous renforçons notre contribution à l’adoption rapide des systèmes de calcul haute performance (HPC) de la prochaine génération par les sociétés informatiques mondiales," a déclaré Sewon Chun, directeur général adjoint de la division marketing mémoires de Samsung Electronics. "En utilisant notre technologie de mémoire 3D, nous répondons donc de façon plus proactive à l’éventail des besoins de l’ensemble des entreprises informatiques, tout en renforçant les bases d’une croissance future du marché des DRAM."<\/p>\n
Cette DRAM HBM2 de 4 Go utilise la technologie de gravure en 20 nanomètres et la conception avancée HBM les plus efficaces de l’entreprise pour répondre aux besoins de hautes performances, d’efficacité énergétique, de fiabilité et d’encombrement réduit. Elle convient donc particulièrement aux systèmes de calcul haute performance (HPC) et aux cartes graphiques.<\/p>\n
Faisant suite au lancement en octobre dernier d’un module mémoire RDIMM de 128 Go DDR4 basé sur la technologie TSV 3D, cette DRAM HBM2 constitue le dernier jalon de la technologie DRAM TSV (Through Silicon Via).
\nLe boîtier HBM2 de 4 Go est obtenu en empilant quatre puces de 8 gigabits (Gb) sur une matrice buffer. Ces puces sont alors interconnectées verticalement par des orifices TSV et des microbilles. Une seule matrice HBM2 de 8 Gb comprend plus de 5000 orifices TSV, c’est plus de 36 fois le nombre de trous d’une matrice DDR4 TSV de 8 Gb, ce qui accroît considérablement la vitesse de transmission des données par rapport aux boîtiers micro-câblés par fils conventionnels.\n<\/p>\n
Ce boîtier DRAM HBM2 offre une bande passante de 256 GByte\/s, soit le double d’un boîtier DRAM HBM1. C’est l’équivalent de plus de sept fois la bande passante de 36 GByte\/s d’une puce DRAM GDDR5 de 4 Gb qui, jusqu’ici, détenait la plus grande vitesse de données par broche (9 Gbit\/s) de toutes les puces DRAM. Ce boîtier HBM2 propose aussi une bien meilleure efficacité énergétique, sa bande passante par watt est deux fois plus élevée que celle des solutions basées sur GDDR5 4 Gb. Il intègre également un code de correction d’erreurs (ECC) pour assurer une grande fiabilité.<\/p>\n
Une version DRAM HBM2 de 8 Go est également prévue dans le courant de l’année. En la spécifiant dans les cartes graphiques, les concepteurs économiseront plus de 95 % d’espace par rapport à la DRAM GDDR5, ce qui permettra d’optimiser les solutions pour les appareils compacts qui exigent des capacités de calcul graphique de haut niveau.\n<\/p>\n