Dans un même boîtier miniature, ce circuit intègre un amplificateur et un balun hautes-performances offrant une entrée différentielle convenant aux sorties différentielles Tx standard des CNA et transpondeurs intégrés RF. En plus d’excellentes performances RF large bande, cela se traduit par une conception d’émetteurs beaucoup plus épurés qu’avec la plupart des solutions du marché pour les applications sans-fil évoluées d’aujourd’hui.
\nCouvrant une bande passante de 600 MHz à 3000 MHz, cet amplificateur hautes performances peut répondre aux besoins de différentes applications d’émetteur RF avec un seul et même dispositif. En outre, il présente un gain typique de 13 dB, un taux de réjection en mode commun CMRR de 20 dB, et une linéarité très élevée de 42 dBm OIP3 à 2000 MHz.<\/p>\n
"Aujourd’hui, le F1423 rejoint notre gamme en plein essor de produits RF réellement innovants. Avec son balun et son circuit d’adaptation interne, il réduit l’encombrement global et les coûts, tout en simplifiant la conception d’émetteurs," affirme Chris Stephens, Directeur Général de la division RF d’IDT. "L’offre IDT va des composants passifs aux composants actifs RF, et le recours à des technologies de conception innovantes propriétaires nous permet de réduite les coûts, d’améliorer le rapport signal\/bruit (SNR), et de proposer des produits très fiables dans des boîtiers très petits."<\/p>\n
Ce composant dispose d’une entrée différentielle RF 50 ohms et d’une sortie simple terminaison d’une puissance jusqu’à 22 dB pour une compression de 1 dB. Il est particulièrement bien adapté aux facteurs crête élevés, aux bandes passantes très larges, ainsi qu’aux signaux modulés 2G, 3G et 4G complexes provenant des CNA et des transpondeurs RF intégrés.
\nEncapsulé dans un boîtier QFN-24 de seulement 4 x 4 mm, cet amplificateur fonctionne à partir d’une alimentation unique 5 V avec un courant d’alimentation typique de 120 mA.\n<\/p>\n