{"id":234874,"date":"2015-11-18T23:00:00","date_gmt":"2015-11-18T23:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/eenewseurope.artwhere.co\/technologie-gan-enfin-une-carte-devaluation-aux-fonctionnalites-completes\/"},"modified":"2015-11-18T23:00:00","modified_gmt":"2015-11-18T23:00:00","slug":"technologie-gan-enfin-une-carte-devaluation-aux-fonctionnalites-completes","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/technologie-gan-enfin-une-carte-devaluation-aux-fonctionnalites-completes\/","title":{"rendered":"Technologie GaN : enfin une carte d\u2019\u00e9valuation aux fonctionnalit\u00e9s compl\u00e8tes"},"content":{"rendered":"

Cette carte d’évaluation peut être utilisée en conversion synchrone en modes élévateur et abaisseur de tension, ainsi qu’en découpage pulsé pour évaluer les formes d’onde de transistor. Le kit comprend une documentation complète, y compris les codes produits des composants pour la nomenclature, le placement-routage et le contrôle thermique de la carte PCB, ainsi qu’une conception de référence de circuit de commande de grille très utile aux ingénieurs systèmes pour leurs produits.
\nConçue pour offrir aux ingénieurs électriciens un étage de puissance complet, la carte d’évaluation consiste en deux FET en GaN GS66508T 650 V, 30 A, des commandes de grille en demi-pont, une alimentation de commande de grille et deux dissipateurs thermiques. Ces deux transistors de haute puissance sont basés sur la technologie propriétaire Island Technology et appartiennent à la famille de produits de 650 V haute densité qui atteignent des coefficients de conversion extrêmement élevés, avec des vitesses de commutation supérieures à 100 V\/nS et des pertes thermiques ultra faibles.
\nLa conception de puce Island Technology, associée à l’inductance ultra faible et au rendement thermique du boîtier GaNPX<\/em>, assure à ces FET à base de GaN une amélioration d’un facteur 45 des performances en terme de commutation et de conduction par rapport aux MOSFET et IGBT traditionnels en silicium. Refroidis par le haut, le quasi boîtier-puce GaNPX <\/em>est thermiquement efficace. Le rendement de conversion de puissance de 98.7% à 1,5 kW affiché dans la documentation du produit peut-être reproduit dans le laboratoire du propriétaire.\n<\/p>\n

\n

La carte d’évaluation présente les emplacements des inductances et des condensateurs de puissance de sortie pour permettre aux utilisateurs de configurer la carte dans les modes de fonctionnement élévateur ou abaisseur de tension. L’accès à la température de jonction du transistor est possible grâce aux deux plots pour thermocouple et aux ports d’imagerie par caméra thermique. La tension d’alimentation en entrée doit être comprise entre 9 et 12 VDC, avec un maximum absolu de 15 V. Des régulateurs de tension embarqués produisent le +5 V pour les circuits logiques et le +6.5 V pour la commande de grille. <\/p>\n<\/p>\n

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