Ce transistor fonctionne en mode CW (onde continue), pulsé ou linéaire, avec des niveaux de sortie jusqu’à 100 W (50 dBm). Acceptant une tension opérationnelle de 50 V, il autorise, en mode CW, un gain de 18.3 dB à 2.45 GHz, avec un rendement de drain de 70%. En mode pulsé, il revendique un gain de 18.4 dB à 2.7 GHz, avec un rendement de drain de 71%. Actuellement en phase d’échantillonnage, ce transistor testé en RF à 100% est encapsulé en boîtier plastique au standard du marché, avec une bride à boulonner. <\/p>\n
Offrant des performances dignes de composants GaN-sur-SiC (Nitrure de galium sur carbure de silicium), avec des coûts de production estimés inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle, le GaN de 4ème génération (Gen4 GaN) est bien placé pour briser les dernières barrières techniques et commerciales s’opposant à l’adoption généralisée du GaN. Cette technology Gen4 GaN fournit un rendement crête supérieur à 70% et un gain de 19 dB pour des signaux modulés à 2.7 GHz, ce qui est comparable aux technologies GaN-sur-SiC, et un rendement en croissance de plus de 10% par rapport à la technologie LDMOS.
\nGen4 GaN offre également une densité de puissance plus de quatre fois supérieure à celle de la technologie LDMOS. <\/p>\n<\/p>\n
"Ce transistor Gen4 GaN offre des performances optimales à nos clients," déclare Gary Lopes, Responsable produit chez MACOM. "Le MAGX-100027-100C0P est le candidat idéal pour les clients désirant développer des applications durcies, en profitant de la solide fiabilité offerte par les solutions GaN de MACOM. Les produits Gen4 GaN prolongent les trajectoires d’innovation et de commercialisation des premières générations de GaN-sur-Si, qui ont clairement démontré leur fiabilité dans les environnements les plus difficiles, depuis plus de cinq ans."<\/p>\n<\/p>\n