Pour Jim Holmes directeur de la technologie de Ozark IC et ancien de Texas Instruments : "Nous sommes reconnaissants à la National Science Foundation [NSF] d’avoir financer Ozark IC pour créer un PDK 350 degrés°C . Notre succès avec la NSF PDK a incité la NASA à nous suivre avec un projet en deux phases, afin de construire un PDK 500°C pour les puces devant être utilisées dans la navigation du robot sur Vénus."<\/p>\n
Comme c’est l’environnement le plus hostile du système solaire, la NASA espère supplanter les sondes russes et japonaises dans leurs explorations de Vénus, qui n’ont pas résisté plus de quelques heures avant d’échouer. Dans la première phase du projet, Ozark IC va devoir prouver être capable d’améliorer la PDK 350 degrés fabriquée chez Raytheon Systems au Royaume-Uni, où elle est appelée Hit-SiC CMOS 500 °C.<\/p>\n
La NASA souhaite disposer d’un imageur ultraviolet fiable pour des expériences de composition planétaires, en particulier pour l’étude de l’environnement sur Vénus.<\/p>\n
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La deuxième partie consiste à réaliser un microcontrôleur programmable en temps réel pour le robot d’exploration sur Vénus ( photo ci-contre). Le professeur Alan Mantooth de l’Université de l’Arkansas, dirigera l’étude avec l’aide de son groupe de doctorants.<\/p>\n
Une des clés pour surmonter les obstacles à 500°C est le substrat. Ozark IC a choisi le carbure de silicium et utilisé des procédés standard de silicium au-dessus de la plaquette supportant les transistors et autres dispositifs actifs. Toutefois, l’interconnexion en aluminium est trop instable car ce métal fond à 632°C. De même le cuivre qui réagit mal aux pressions élevées sur Vénus (9 millions de Pascal par rapport à 101 000 Pascal sur Terre). Jim Holmes prétend avoir une solution pour les couches de métallisation des circuits Venus-compatibles, mais la société en garde le secret pour le moment.<\/p>\n