Cette série de diodes SPA offre quatre canaux\/deux paires différentielles de diodes à faible capacitance prévues pour protéger les broches des connecteurs d’E\/S contre les dommages pouvant résulter des surtensions liées à la foudre et contre les décharges électrostatiques (ESD). Par rapport aux solutions similaires du marché, elle propose aux concepteurs de circuits électroniques une réduction de capacitance de 71 %, ce qui aide à conserver l’intégrité du signal et à minimiser les pertes de données. Elle fournit également une gestion de puissance pouvant être jusqu’à 150 % plus élevée que la plupart des solutions équivalentes.
\nPerformants, ces produits peuvent supporter jusqu’à 15 A selon IEC 61000-4-5, avec durées d’impulsions 8\/20 µs sans dégradation des performances et au minimum une ESD de ±30 kV selon IEC 61000-4-2.
\nLes principales applications ciblées, telles que équipement réseau Ethernet (LAN\/WAN 10\/100\/1000), domotique et sécurité, bénéficient de la tension d’écrêtage supérieure de ces réseaux au format compact µDFN-0. La protection ultra-rapide, à base de silicium, contre les décharges ESD réagit aux événements de surtension transitoires dès le dépassement des tensions d’exploitation.\n<\/p>\n
"En matière de protection contre les ESD et contre les surtensions au niveau des ports Gigabit Ethernet (GbE), la Série SP3312T offre une alternative convaincante par rapport aux autres solutions du marché," déclare Tim Micun, chef de produit pour les barrettes de diodes TVS. "La très faible capacitance de ces diodes permet une plus grande souplesse lors de la conception des cartes de circuits imprimés. Par ailleurs, la Série SP3312T simplifie la mise en conformité avec le diagramme de test visuel go\/no-go utilisé dans l’industrie, et elle s’impose comme protection des interfaces GbE."<\/p>\n
Ces barrettes de diodes présentent une excellente protection contre les surtensions, avec crête de 250 Wce qui représente une marge beaucoup plus importante face aux menaces électriques définies par les normes réglementaires. La variabilité négligeable de capacitance sur la gamme de tensions garantit l’intégrité des signaux des lignes protégées par ces diodes et une moins forte dégradation du diagramme de l’œil par rapport aux autres solutions. La protection contre les décharges électrostatiques de 15 A en crête est supérieure au niveau maximal prescrit par la norme IEC applicable et s’étend contre une multitude d’autres menaces afin d’assurer la fiabilité des produits en exploitation. Le format compact µDFN-08 de ces réseaux, de seulement 1,8 x 2,0 x 0,554 mm, autorise un routage direct. Autrement dit, le tracé des circuits électroniques peut être routé sous la diode sans avoir à tracer des ébauches de tracé (stub trace) qui peuvent causer une dégradation des signaux.<\/p>\n