Ce photocoupleur est logé dans un boîtier SO6L de seulement 2.3 mm d’épaisseur maximum, soit environ 45% de moins que les produits en boîtier SDIP conventionnels de la gamme. Il contribuera ainsi au développement de dispositifs plus minces et plus petits. En dépit de sa faible épaisseur, il garantit une distance de fuite et de sécurité de 8 mm minimum et une tension d’isolement d’au moins 5000 Veff, ce qui en fait un bon candidat pour les applications nécessitant un isolement élevé.
\nGrâce à l’intégration de LED infrarouge de forte puissance côté entrée, ce composant réduit le courant de déclenchement en entrée de près de 54% comparé aux produits conventionnels comme le précédent TLP2766 en boîtier SDIP6.
\nCe circuit intègre aussi une puce photo-détecteur produite en technologie Bi-CMOS côté sortie, et réduit le courant d’alimentation nécessaire d’environ 66% par rapport à son prédécesseur. Le courant de déclenchement en entrée est de 1.6 mA (maxi) pour 6 mW (typique), et le courant d’alimentation de seulement 1.0 mA (maxi) à 2,1 mW (typique). En outre, ce photocoupleur peut contribuer à abaisser la tension de fonctionnement des dispositifs grâce à une tension d’alimentation garantie de 2.7 V à 5.5 V, à des températures jusqu’à 125 °C, soit la classe la plus élevée du marché.<\/p>\n