Ces MOSFET canal-N de 30 V et 60 V sont basés sur le processeur semi-conducteur à tranchée U-MOS IX-H de dernière génération. Ce dernier est conçu pour offrir le meilleur rendement dans sa catégorie sur un large éventail de charges en abaissant la résistance à l’état passant RDS(on) et en améliorant le rendement de commutation grâce à une réduction de la charge en sortie Q OSS.
\nGrâce à ces dispositifs, les concepteurs peuvent réduire les pertes et la place occupée sur la carte dans le cas de plusieurs circuits de gestion d’énergie, notamment les circuits de commutation côté haut et côté bas en conversion DC-DC, ou les circuits de redressement synchrone au secondaire de projets AC-DC. Ces technologies sont également bien adaptées pour les commandes moteur et les circuits de protection des équipements alimentés par batteries Lithium-ion (Li-ion).
\nA une tension VGS de10 V, la valeur de RDS(on) maximum pour le modèle 30 V est de seulement 0.6 mOhm, tandis que sa valeur C OSS typique est de 2160 pF. La version 60 V offre des valeurs typiques RDS(on) et C OSS de 1.3 mOhm et 960 pF. Ces caractéristiques assurent davantage de souplesse pour optimiser les performances d’une application donnée.
\nCes deux composants sont encapsulés en boîtier bas-profil pour montage en surface DSOP Advance. Tous deux présentent une empreinte sur carte de seulement 5 x 6 mm. Cette technologie de boîtier permet de réduire sensiblement les températures système et d’utiliser des radiateurs plus petits, voire d’éviter le recours à un radiateur. Tous ces MOSFET fonctionnent avec des températures de canal jusqu’à 175°C.<\/p>\n