Ce circuit utilise deux commutateurs MOSFET externes, délivrant un courant continu de LED jusqu’à 20 A, ou 80 W, à partir d’une tension nominale d’entrée de 12 V. Dans les applications à LED pulsées, il peut générer un courant de LED de 40 A, ou 160 W, à partir de 12 V en entrée. Les rendements pouvant atteindre 95% conduisent à supprimer le radiateur externe.
\nLe contrôleur à mode crête d’intensité du circuit maintient la régulation du courant de LED à ±3% sur une gamme de tensions étendue de VEE , tension de référence de masse, à celle d’entrée VIN. En autorisant VEE à flotter vers les tensions négatives, on peut contrôler plusieurs LED à partir d’un élément de batterie Li-ion, avec un seul étage de sortie en mode abaisseur. En plus, ceci autorise une architecture unique en modes abaisseur et inverseur qui permet l’emploi d’un seul radiateur sur une anode commune pour les LED RVB. Grâce à une broche dédiée, l’utilisateur peut programmer la fréquence entre 100 kHz et 1 MHz afin d’optimiser le rendement tout en diminuant la taille des composants extérieurs.
\nAvec son boîtier QFN de 5 x 6 mm, ce composant présente une solution très compacte de contrôleur de LED de 80 W. Il possède deux contrôles de luminosité, PWM et CTRL, avec un rapport de luminosité de 3000 à 1 pour quatre niveaux d’intensité de LED, ce qui le rend approprié aux applications de mixage de couleurs comme celles requises dans les projecteurs DLP.\n<\/p>\n