Les temps de réponse rapides de ce détecteur permettent de nombreuses applications RF et hyperfréquences que les autres composants plus lents ne peuvent accepter. Par exemple, il peut détecter les signaux recherchés, comme une impulsion radar rapide, réguler avec précision les niveaux de puissance d’un amplificateur de puissance RF et assurer le suivi d’enveloppe du signal et l’analyse du spectre. De même, il peut repérer des signaux indésirables comme un dépassement de l’amplificateur de puissance RF, des cas de dysfonctionnement et des signaux radio utilisés pour activer des brouilleurs. En outre, sa capacité à fonctionner à haute température étend son employabilité et son taux de survie dans les applications devant fonctionner dans des environnements sévères comme les amplificateurs PA de forte puissance qui chauffent dans les tours des réseaux cellulaires, les moteurs d’automobiles, les équipements des avions et les structures sans fil exposés à des températures extrêmes.
\nCe circuit peut mesurer avec précision des signaux RF d’entrée allant de -24 dBm à +16 dBm. Il comprend un amplificateur de sortie à gain programmable, avec quatre possibilités de fixation de gains qui sont contrôlées numériquement via deux broches d’entrée logiques en code binaire pondéré. Ceci améliore la sensibilité lors de la mesure de signaux de faible amplitude. De plus, grâce à sa bande-passante, l’amplificateur de sortie peut démoduler l’enveloppe d’un signal RF modulé jusqu’à 75 MHz.\n<\/p>\n
La tension de seuil du comparateur sur la puce est fixée par l’utilisateur, assurant un point de basculement souple pour détecter des niveaux de puissance RF spécifiques. La sortie peut être verrouillée par une broche de validation de verrouillage, ce qui autorise la capture rapide d’un évènement de courte durée, la survenue d’un signal unique ou d’une condition de dysfonctionnement. Ses hautes performances permettent une vitesse sans précédent dans les mesures de temps, des réponses rapides après dysfonctionnement et des mesures de puissances RF dans les systèmes RF\/PA et hyperfréquences, même dans les environnements sévères.
\nAlimenté à partir d’une seule entrée de 3,3 V ou de 5 V, ce composant affiche une consommation réduite de 44 mA en fonctionnement normal.
\nEncapsulé en petit boîtier QFN 16 broches, de 3 x 3 mm, ce modèle de classe H est testé à 100% pour fonctionner avec une température de boîtier de -40 °C à +125 °C. Une version de classe industrielle est également proposée pour une température de -40 °C à +105 °C. <\/p>\n<\/p>\n