Cet amplificateur RF offre une moindre sensibilité à l’humidité et une meilleure protection contre les décharges électrostatiques (ESD), pour une technologie plus robuste et plus fiable que celle des dispositifs GaAs (arséniure de gallium) qui nécessitent un appairage externe et peuvent être sujets à des phénomènes d’avalanche secondaire retardés. Il convient particulièrement aux applications comme les stations de base cellulaires 4G, les répéteurs haut-débit, les systèmes d’antennes distribués et les équipements de faisceaux hertziens.
\nL’utilisation de ces technologies novatrices permet d’obtenir un amplificateur VGA de haut niveau, avec un OPI3 de +41 dBm, 13 dB de gain maximum, une plage de réglage de gain de 23 dB par crans de 1 dB, et un niveau de bruit de 4 dB, tout en ne consommant que 100 mA de courant.
\n"L’IDT F0480 offre des possibilités uniques aux concepteurs, pour répondre aux exigences strictes inhérentes à la conception et à la l’implémentation d’amplificateurs VGA RF," déclare Chris Stephens, Directeur Senior chez IDT, Définition et Marketing Produits sans-fil. "Sa très faible consommation inférieure à 500 mW facilite la gestion thermique, tandis que l’appairage interne simplifie grandement l’intégration au sein du système hôte."
\nCe circuit se caractérise par une résistance nominale aux ESD de 2 kV et un niveau nominal de sensibilité à l’humidité (MSL) de 1, à comparer à MSL 3 pour la majorité des dispositifs GaAs. La courbe plate de gain, en fonction de la fréquence du dispositif, aide à compenser les pertes au niveau de la carte.\n<\/p>\n