Premiers membres d’une famille de double MOSFET de puissance pour le secteur automobile, ces deux composants sont encapsulés en boîtiers compacts PQFN de 5 x 6 mm et bénéficient de la technologie propriétaire en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée. L’AUIRFN8459 présente une Rds(on) extrêmement faible de 5,9 mOhms par canal, tout en supportant des courants élevés jusqu’à 50 A. De son côté, l’AUIRFN8458 se caractérise par une Rds(on) 10 mOhm par canal pour 43 A.
\n"Les composants double COOLiRFET 40 V en PQFN 5 x 6 mm AUIRFN8459 et AUIRFN8458 présentent un encombrement réduit de plus de 50 % par rapport aux boîtiers DPAK (TO-252) traditionnels ; combiné à une résistance et une inductance de boîtier et une Rds(on) très faibles, cela les positionne très favorablement pour les applications automobiles 12 V conventionnelles comme le contrôle moteur qui requièrent un rendement et une densité de puissance supérieurs dans un espace réduit," estime Jifeng Qin, responsable produits pour les MOSFET automobiles au sein de la division Composants Automobiles d’IR.
\nCes circuits en boîtier PQFN présentent également une faible empreinte thermique vers le circuit imprimé et de meilleures performances thermiques qu’un boîtier SO-8. Ils délivrent ainsi davantage de rendement et de densité de puissance pour un coût global du système inférieur.
\nComme tous les MOSFET automobiles de la gamme, ces deux composants sont soumis à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle des Wafer entièrement automatisée dans le cadre de l’initiative qualité automobile de l’entreprise visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20 % après un millier de cycles de test en température. Ainsi, ils répondent totalement à ces standards et utilisent des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS.<\/p>\n