La version de classe A de cet amplificateur est testée et garantie à 100% pour un OIP3 minimum de +44,8 dBm, avec une valeur typique de +48,3 dBm à 380 MHz. Son gain est également garanti avec un minimum de 19,6 dB et un maximum de 22,1 dB. Une version de classe B présente un OIP3 typique de +46,3 dBm à la même fréquence.
\nCe circuit est approprié à l’amplification des signaux FI et RF dans les émetteurs-récepteurs à large gamme dynamique et faible distorsion, ou les récepteurs à des fréquences jusqu’à 1,5 GHz. Des fréquences plus élevées peuvent être atteintes avec une adaptation d’impédance appropriée. Ses caractéristiques de linéarité sont particulièrement remarquables quand le composant est utilisé en amplificateur FI sur les entrées différentielles de convertisseurs A\/N rapides, dans les récepteurs principaux ou les récepteurs à pré-distorsion numérique dont les performances dépendent d’un faible niveau de distorsion et d’une gamme dynamique étendue. De plus, ce circuit convient particulièrement en tant qu’amplificateur à faible niveau de bruit pour une gamme de radios à large bande et à bande étroite qui fonctionnent dans les bandes VHF\/UHF comme pour les radiodiffusions, les réseaux câblés, les services de données dans les bandes libres et les stations de base sans fil à bande étroite et à LTE\/LTE avancée (réseaux mobiles).
\nLes entrées et sorties sont adaptées en interne à 100 ohms en mode différentiel, de 20 MHz à 1,2 GHz, avec un gain en puissance de 20,5 dB et une variation inférieure à 0,5 dB sur la gamme de fréquences. Cette adaptation à 100 ohms simplifie la conception et facilite la mise en cascade pour des gains supérieurs en utilisant un minimum de composants externes. De plus, le mode différentiel procure une distorsion harmonique du second ordre exceptionnellement basse. Par exemple, à 380 MHz, l’harmonique parasite du 2eme ordre est à -70 dBc de la fréquence fondamentale.\n<\/p>\n
Fabriqué à partir d’un processus de pointe en SiGe et BiCMOS, cet amplificateur présente un fonctionnement d’une stabilité inhérente, tout en tolérant des variations de la tension d’alimentation et de la température. Présenté dans un petit boîtier QFN-24 de seulement 4 x 4 mm avec plaque de dissipation thermique, il est spécifié pour fonctionner avec une température de boîtier de -40 °C à 85 °C et ne nécessite qu’une seule alimentation de 5 V d’une intensité de 170 mA. <\/p>\n<\/p>\n