Dans toute la gamme de température ambiante de -40 °C à +125 °C, ce circuit supporte des courants jusqu’à plus de 6 A par canal. Il est spécialement conçu pour piloter de larges grilles de transistors IGBT et MOSFET en modules ou en boîtiers discrets. Grâce à son impédance de sortie extrêmement faible en mode allumage et coupure, les pertes de puissance sont également très réduites, ce qui autorise le fonctionnement dans des environnements sévères et sous haute température comme, par exemple, la commande côté primaire ou secondaire d’étages d’alimentation dans un véhicule hybride.
\nEncapsulé dans un simple boîtier PSOIC-8N et présentant une très faible consommation d’énergie, ce circuit peut piloter efficacement les IGBT et MOSFET imposants utilisés dans les applications SMPS de haute puissance et apporte une solution plus simple, compacte et robuste que les approches discrètes actuellement disponibles sur le marché.
\nAmélioré thermiquement, le boîtier PSOIC-8N assure une bien meilleure dissipation thermique que les boîtiers DIL SMD standard et peut donc fonctionner à une température ambiante largement supérieure. En outre, l’étage de sortie rail à rail utilisant des MOSFET à canal P côté haut réduit la chute de tension interne et donc la consommation d’énergie. Ce composant présente également une résistance de sortie maximale de 650 mOhms en source et en tirage à 125 °C. Qualifié pour l’automobile, il est garanti sans plomb et conforme RoHS.<\/p>\n<\/p>\n