La stabilité de la couche d’oxyde de la grille et de la diode intrinsèque restent aussi élevées que sur les MOSFET SiC de 2e génération de la gamme. Ayant réussi à résoudre les problèmes relatifs au claquage d’oxyde en cas de tension drain-source élevée, l’entreprise est parvenue à améliorer la fiabilité et l’intensité de courant admissible avec une densité réduite, à limiter la perte de conductivité ainsi que l’affaiblissement dû à la commutation, et à conserver des dimensions compactes.
\nRétrospectivement, des MOSFET SiC planaires avait déjà mis au point, éliminant la dégradation des diodes à jonction PN parasites lors de la pénétration de courant direct. A présent, la faible résistance à l’état passant des versions à tranchée s’adapte parfaitement à l’amélioration de la densité de puissance et des performances de l’onduleur. Ces dispositifs offrent des caractéristiques RDS(ON) et Ciss optimisées qui permettent d’ajuster l’efficacité et la vitesse de commutation. La diode à capacité parasite ne présente qu’un comportement de recouvrement inverse et une dégradation minimes étant donné que sa conduction est largement réduite.
\nProposés en boîtier TO247-3L, ces transistors trouvent leurs applications dans les onduleurs solaires, les moteurs, les alimentations sans coupure des télécommunications, ainsi que dans l’automobile et le chauffage industriel par induction. <\/p>\n<\/p>\n