{"id":230016,"date":"2014-05-15T22:00:00","date_gmt":"2014-05-15T22:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/eenewseurope.artwhere.co\/samsung-et-stmicroelectronics-accord-strategique-pour-etendre-lutilisation-de-la-technologie-fd-soi\/"},"modified":"2014-05-15T22:00:00","modified_gmt":"2014-05-15T22:00:00","slug":"samsung-et-stmicroelectronics-accord-strategique-pour-etendre-lutilisation-de-la-technologie-fd-soi","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/samsung-et-stmicroelectronics-accord-strategique-pour-etendre-lutilisation-de-la-technologie-fd-soi\/","title":{"rendered":"Samsung et STMicroelectronics : accord strat\u00e9gique pour \u00e9tendre l&rsquo;utilisation de la technologie FD-SOI"},"content":{"rendered":"<p>La technologie FD-SOI en 28&nbsp;nm permet de r&eacute;aliser des circuits int&eacute;gr&eacute;s plus rapides, plus simples et qui d&eacute;gagent moins de chaleur, r&eacute;pondant ainsi &agrave; la demande permanente en syst&egrave;mes sur puce plus performants et plus &eacute;conomes en &eacute;nergie dont les produits &eacute;lectroniques de nouvelle g&eacute;n&eacute;ration ont besoin, notamment les produits mobiles et destin&eacute;s au grand public. Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28&nbsp;nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l&rsquo;&eacute;cosyst&egrave;me de conception d&eacute;velopp&eacute;s par ST. La technologie FD-SOI en 28nm de ST a d&eacute;j&agrave; d&eacute;montr&eacute; ses avantages en termes de rapport rapidit&eacute;\/consommation d&rsquo;&eacute;nergie et de simplicit&eacute;, et l&rsquo;engouement des concepteurs de circuits int&eacute;gr&eacute;s &agrave; propos de cette technologie continue d&rsquo;augmenter. Cet accord compl&egrave;te les moyens de production en 28&nbsp;nm dont dispose ST sur son site de production en 300&nbsp;mm &agrave; Crolles (pr&egrave;s de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits r&eacute;alis&eacute;s en technologie FD-SOI 28&nbsp;nm. En outre, les clients pourront b&eacute;n&eacute;ficier de l&rsquo;exp&eacute;rience et des connaissances acquises par Samsung et ST en mati&egrave;re de technologies de production en grands volumes. La technologie FD-SOI en 28&nbsp;nm sera qualifi&eacute;e par Samsung pour une production en volume d&eacute;but 2015.<\/p>\n<p>&quot;&nbsp;<em>Capitalisant sur les solides relations nou&eacute;es par ST et Samsung dans le cadre de l&rsquo;International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage &nbsp;notre coop&eacute;ration en l&rsquo;&eacute;tendant &agrave; la technologie FD-SOI en 28&nbsp;nm, tout en &eacute;largissant l&rsquo;&eacute;cosyst&egrave;me et en augmentant la capacit&eacute; de production pour ST, mais &eacute;galement pour l&rsquo;ensemble de l&rsquo;industrie &eacute;lectronique. De plus, cet accord confirme et renforce la dynamique commerciale que conna&icirc;t cette technologie depuis plusieurs trimestres aupr&egrave;s de nombreux clients &agrave; travers les projets engag&eacute;s au sein de notre activit&eacute; d&eacute;di&eacute;e aux solutions de traitement embarqu&eacute;es<\/em>&nbsp;&quot;, a d&eacute;clar&eacute; Jean-Marc Chery, directeur g&eacute;n&eacute;ral (COO) de STMicroelectronics. &quot;&nbsp;<em>Nous pr&eacute;voyons l&rsquo;&eacute;largissement de l&rsquo;&eacute;cosyst&egrave;me FD-SOI en 28&nbsp;nm avec les principaux fournisseurs d&rsquo;outils de CAO &eacute;lectronique (EDA) et de propri&eacute;t&eacute; intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d&rsquo;IP mis &agrave; la disposition de la fili&egrave;re FD-SOI en 28&nbsp;nm<\/em>.&nbsp;&quot;<\/p>\n<hr \/>\n<p>\n<\/p>\n<p>&quot;&nbsp;<em>Nous nous r&eacute;jouissons d&rsquo;annoncer cette collaboration avec ST pour la technologie FD-SOI en 28&nbsp;nm. C&rsquo;est une solution id&eacute;ale pour les clients qui souhaitent accro&icirc;tre les performances et le rendement &eacute;nerg&eacute;tique en 28&nbsp;nm sans &ecirc;tre oblig&eacute;s de migrer vers le 20&nbsp;nm<\/em>&nbsp;&quot;, a ajout&eacute; le Dr Seh-Woong Jeong, vice-pr&eacute;sident ex&eacute;cutif System LSI Business de Samsung Electronics. &quot;&nbsp;<em>Le 28&nbsp;nm est une technologie de fabrication tr&egrave;s efficace dont la dur&eacute;e de vie sera longue en utilisant des moyens de production bien &eacute;tablis. En ajoutant le FD-SOI &agrave;&nbsp; notre portefeuille de technologies, Samsung propose une gamme compl&egrave;te de solutions de fabrication en 28&nbsp;nm qui contribueront au succ&egrave;s de nos clients<\/em>.&nbsp;&quot;<\/p>\n<p><strong>Compl&eacute;ment d&rsquo;information technique<\/strong><br \/>\nLa technologie FD-SOI r&eacute;sulte d&rsquo;une activit&eacute; de recherche et d&eacute;veloppement de longue date&nbsp; men&eacute; au sein du p&ocirc;le technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d&rsquo;autres partenaires. Elle convient tout particuli&egrave;rement aux march&eacute;s qui exigent un rendement &eacute;nerg&eacute;tique et des performances optimum, alli&eacute;s &agrave; des co&ucirc;ts globaux maitris&eacute;s. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge efficacement la Loi de Moore1 &nbsp;en permettant de faire &eacute;voluer la technologie planaire traditionnellement utilis&eacute;e pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement &agrave; d&rsquo;autres fili&egrave;res de fabrication, la technologie FD-SOI b&eacute;n&eacute;ficie de la continuit&eacute; des flux de conception existants, et est prise en charge par un large &eacute;ventail de logiciels de CAO &eacute;lectronique (EDA) et d&rsquo;&eacute;quipements de production d&eacute;j&agrave; install&eacute;s. Plus particuli&egrave;rement, la technologie FD-SOI de ST2 assure un &eacute;quilibre optimum entre des performances plus rapides et des temp&eacute;ratures op&eacute;rationnelles moins &eacute;lev&eacute;es, tout en assurant la p&eacute;rennit&eacute; des investissements d&eacute;j&agrave; consacr&eacute;s aux outils et &eacute;quipements de production. Outre l&rsquo;exploitation des flux de conception et du mat&eacute;riel de production existants, cette technologie r&eacute;duit de fa&ccedil;on significative la complexit&eacute; des processus de production.&nbsp;<\/p>\n<p><a title=\"www.samsung.com\" href=\"http:\/\/www.samsung.com\/\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">www.samsung.com<\/a><\/p>\n<p><a title=\"www.st.com\" target=\"_blank\" href=\"http:\/\/www.st.com\" rel=\"noopener\">www.st.com<\/a><\/p>\n<p>&nbsp;<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>STMicroelectronics et Samsung Electronics Co., Ltd. ont sign\u00e9 un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d&rsquo;une collaboration de production multi-sources. 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