Cet amplificateur est présenté en deux classes, incluant la version de classe A qui est testée et garantie à 100% pour un OIP3 minimum de 42,2 dBm à 240 MHz, et la version de classe B dont l’OIP3 est typiquement de 45,7 dBm à la même fréquence. Les entrée et sortie sont toutes les deux adaptées 50 ohms en interne, de 20 MHz à 1,4 GHz, avec un gain en puissance constant à ±0,5 dB de 20 dB dans toute la bande de fréquences. Cette adaptation interne en 50 ohms simplifie la conception et facilite la mise en cascade en utilisant un minimum de composants externes. Chaque circuit requiert seulement un condensateur de blocage du continu en entrée et en sortie, avec une bobine d’arrêt pour polariser sa sortie en collecteur ouvert.
\nFabriqué à partir d’un processus de pointe en SiGe et BiCMOS, ce composant présente un fonctionnement d’une stabilité exceptionnelle, tout en tolérant des variations de la tension d’alimentation et de la température. Il est notamment spécifié pour fonctionner avec une température du boîtier de -40 °C à 85 °C.
\nCe circuit est approprié à l’amplification des signaux FI et RF dans les émetteurs-récepteurs à faible distorsion ou les récepteurs à des fréquences jusqu’à 1,5 GHz. Il convient aussi aux récepteurs à pré-distorsion numérique dont les performances dépendent du maintien d’un faible niveau de distorsion dans le trajet du signal. De plus, il est bien adapté pour une gamme de radios à large bande et à bande étroite qui fonctionnent dans les bandes VHF\/UHF comme les radiodiffusions pour les réseaux câblés, les services de données dans les bandes libres, les infrastructures de station de base, l’utilisation de la norme téléphonique LTE et les radios de sécurité publique.
\nDe faible consommation, les deux versions de cet amplificateur sont présentées en boîtier QFN-24 de 4 x 4 mm et nécessitent qu’une seule alimentation de 5 V d’une intensité de 93 mA. <\/p>\n<\/p>\n