La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Sa non-volatilité permet aux données d’être conservées même en l’absence d’alimentation, tandis que son accès aléatoire autorise une écriture plus rapide et sans le retard généralement inévitable des mémoires non volatiles. Extrêmement durable, elle est capable de réaliser 10 trillions (10¹³) de cycles de lecture\/écriture, c’est-à-dire 10 millions de fois plus qu’une mémoire non volatile standard. Cette grande endurance assure une journalisation en temps réel dans les applications prises en charge.
\nCette mémoire fonctionne à une tension comprise entre 1.8 V et 3.3 V et à des températures allant de -40 °C à +85 °C. Son alimentation active génère une intensité maximale de 1.2 mA à 3.4 MHz. En raison de son cycle d’écriture extrêmement court, elle consomme beaucoup moins d’énergie que l’EEPROM.
\nA sa fréquence de fonctionnement, ce circuit propose un mode "high-speed" qui lui permet de réaliser des opérations de lecture\/écriture à 3.4 MHz et à 1 MHz en parallèle, une fréquence identique à celle des EEPROM standard. Par conséquent, de nombreuses applications utilisant l’interface I2C peuvent désormais remplacer leurs EEPROM par cette FRAM. Il est ainsi possible de capturer très précisément les données via la journalisation à haute fréquence tout en réduisant l’énergie consommée par les cycles d’écriture des données.
\nGrâce à ses fonctionnalités technologiques uniques, les produits faisant appel à la FRAM sont de plus en plus répandus dans des applications telles que l’automatisation industrielle, l’instrumentation, les terminaux financiers et les appareils médicaux.
\nFujitsu a récemment obtenu le Prix Technologique du Mémorial Okochi en récompense de ses progrès dans le domaine de la FRAM.\n<\/p>\n