Cette mémoire permettra aux fabricants d’utiliser la toute dernière technologie 24 nm dans les appareils conçus pour les NAND 4x nm, prolongeant ainsi la vie de produits électroniques grand public, de dispositifs multimédia, de compteurs ou de systèmes de d’éclairage intelligents, ou encore de certains systèmes à vocation industrielle.
\nPour faciliter la migration, ces mémoires ont été conçues de telle sorte que tous les paramètres tels que longueur de page ou de bloc, taille disponible, commandes, interface, et même boîtier, soient identiques à ceux des anciennes NAND SLC 4x nm.
\nLes mémoires Flash NAND issues de processus plus avancés sont plus économiques mais leurs cellules plus petites sont aussi plus vulnérables au stress engendré par la programmation ou l’effacement. Ceci nécessite une correction d’erreur (ECC) plus complexe pour maintenir les niveaux de fiabilité désirés. Par exemple, une NAND SLC 4xnm de faible densité nécessite une ECC à 1 bit, une NAND SLC 3xnm étend l’ECC à 4 bits, tandis qu’une NAND SLC 2xnm aura besoin d’une ECC à 8 bits.
\nTraditionnellement l’ECC était plutôt gérée par les contrôleurs hôtes, ce qui rendait souvent le passage à des mémoires NAND plus économiques, au final coûteux et fastidieux, dans la mesure où le processeur hôte devait être remplacé pour assurer le niveau de correction d’erreur nécessaire. Par opposition, cette gamme 24 nm modifie ce paradigme en intégrant l’ECC sur la mémoire NAND elle-même et en autorisant l’utilisation d’anciens contrôleurs avec la toute dernière technologie NAND. Ainsi, la nomenclature est simplifiée et les coûts réduits, tout en maintenant la fiabilité élevée de la NAND SLC.
\nCes Flash NAND 8 Gbits sont encapsulées en boîtier TSOP ou BGA, en gamme de température industrielle ou grand-public.<\/p>\n<\/p>\n