Ce circuit fonctionne à partir d’une tension d’entrée comprise entre 2,25 V et 5,5 V, ce qui le rend approprié pour les applications alimentées sur un élément de batterie Li-ion, ainsi que pour les systèmes à bus de tension intermédiaire 3,3 V ou 5 V. Sa fréquence de commutation est programmable par l’utilisateur de 300 kHz à 4 MHz, autorisant l’emploi de petits condensateurs et inductances à coût réduit.
\nIl utilise des transistors commutateurs internes, à résistances RDS(ON) de seulement 45 mohms et 70 mohms pour atteindre des rendements supérieurs à 90% dans les applications à fort rapport de conversion en mode abaisseur comme celles de 5 V en entrée à 1,8 V en sortie. Le fonctionnement en Burst Mode est utilisé pour optimiser le rendement aux faibles charges car il ne consomme que 70 µA à vide, ce qui convient aux applications nécessitant un maximum d’autonomie sur batterie. De plus, une mise à niveau réglable du Burst Mode optimise le rendement en cas d’une charge faible.
\nPour les applications requérant le niveau de bruit le plus bas possible, le régulateur peut être configuré pour fonctionner en modes densité variable d’impulsions ou continu forcé, réduisant le bruit et les interférences RF potentielles. Il présente également des entrées pour une possibilité de suivi de tension ainsi qu’un mode pour mémoire DDR qui peut générer ou consommer ±1,5 A. Les caractéristiques complémentaires incluent un gestionnaire de la tension régulée, la possibilité d’une synchronisation externe, une protection thermique et , en option, un ajustement actif de la tension.
\nLes versions haute fiabilité de classe H sont garanties pour répondre aux spécifications sur la gamme de températures de jonction de -40 °C à +150 °C et les versions pour le militaire classe MP, de -55 °C à +150 °C. Toutes deux sont proposées en boîtiers QFN-20, de 3 x 4 mm et TSSOP-20 à performances thermiques renforcées.<\/p>\n<\/p>\n