La nouvelle V-NAND de Samsung, de 128 gigabits (Gb) dans une seule puce, intègre la structure de cellules verticale, propriété de la société, basée sur la technologie 3D CTF (Charge Trap Flash) ainsi que la technologie de gravure d’interconnexion verticale pour relier la matrice de cellules 3D. En combinant ces deux technologies, la V-NAND 3D de Samsung offre une réduction d’échelle deux fois plus importante que celle de la flash NAND en technologie planaire de classe 20 nm.
\n" La nouvelle technologie flash V-NAND est le fruit d’années de travail de nos employés qui s’efforcent de bousculer les manières de pensée conventionnelles et d’être plus novateurs pour surmonter les limitations liées à la conception de la technologie de mémoires à semi-conducteur " a déclaré Jeong-Hyuk Choi, Senior Vice Président, Produit et technologie flash, Samsung Electronics. " Après la première production en masse de la NAND verticale 3D sur le marché international, nous continuerons à proposer des mémoires V-NAND 3D de densité supérieure encore plus performantes qui contribueront à l’essor de l’industrie mondiale des mémoires ".
\nDepuis 40 ans, les mémoires flash conventionnelles étaient basées sur des structures planaires à grilles flottantes. Quand la technologie de gravure a atteint et dépassé la classe 10 nm, la limite de réduction d’échelle est devenue préoccupante, en raison des interférences entre cellules qui compromettent la fiabilité des mémoires flash NAND. Elle a également entraîné une augmentation de la durée du développement ainsi que des coûts. Avec les nouvelles V-NAND de Samsung et les incroyables niveaux atteints dans l’innovation des circuits et de la structure, tous ces problèmes techniques sont résolus. La mise au point d’une technologie de gravure grâce à laquelle un empilement vertical de couches de cellules planaires crée une structure 3D novatrice a été une réussite. Pour ceci, Samsung a rénové son architecture CTF, mise au point en 2006. Dans la mémoire flash NAND basée sur l’architecture CTF de Samsung, une charge électrique est temporairement placée dans une chambre de retenue de la couche non conductrice de la flash, composée de nitrure de silicium (SiN), au lieu d’utiliser une grille flottante afin d’éviter les interférences entre des cellules voisines.
\nEn créant une couche CTF tridimensionnelle, la fiabilité et la vitesse de la mémoire NAND se sont nettement améliorées. La nouvelle V-NAND 3D offre non seulement une amélioration de la fiabilité de 2 à 10 fois supérieure, mais aussi une vitesse d’écriture deux fois plus rapide par rapport aux mémoires flash NAND à grille flottante conventionnelles de classe 10 nm.
\nLa technologie de gravure spéciale est un autre des avantages technologiques essentiels de la nouvelle V-NAND de Samsung. Elle a la capacité de raccorder les couches électroniquement en perforant des trous depuis la couche supérieure jusqu’à la couche inférieure. Ainsi la technologie de gravure d’interconnexion verticale, propriété de la société, peut empiler verticalement jusqu’à 24 couches de cellules.
\nAvec cette nouvelle structure verticale, Samsung peut obtenir des mémoires flash NAND de plus grande densité en augmentant le nombre de couches de cellules 3D sans avoir à poursuivre la réduction d’échelle en technologie planaire qui entraîne toujours plus de problèmes. <\/p>\n
Selon IHS iSuppli, le marché mondial des mémoires flash NAND, qui est de 23,6 milliards USD environ en 2013, devrait générer près de 30,8 milliards USD de revenus fin 2016. Avec un taux de croissance annuel composé de 11 %, c’est le marché qui connaît la croissance la plus rapide de toute l’industrie des mémoires.<\/p>\n