{"id":227174,"date":"2013-05-27T22:00:00","date_gmt":"2013-05-27T22:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/eenewseurope.artwhere.co\/stmicroelectronics-leve-le-voile-sur-une-nouvelle-technologie-de-puissance\/"},"modified":"2013-05-27T22:00:00","modified_gmt":"2013-05-27T22:00:00","slug":"stmicroelectronics-leve-le-voile-sur-une-nouvelle-technologie-de-puissance","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/stmicroelectronics-leve-le-voile-sur-une-nouvelle-technologie-de-puissance\/","title":{"rendered":"STMicroelectronics l\u00e8ve le voile sur une nouvelle technologie de puissance"},"content":{"rendered":"<p>Les nouveaux MOSFET STripFET(TM) VII DeepGATE de ST assurent le meilleur rendement en conduction de tous les mod&egrave;les &agrave; 80 et 100 V actuellement disponibles sur le march&eacute;, tout en affichant une efficacit&eacute; en commutation accrue. De plus, ces composants permettent de simplifier la conception, ainsi que de r&eacute;duire les dimensions et le co&ucirc;t des &eacute;quipements tout en contribuant &agrave; atteindre les objectifs de consommation et de rendement en int&eacute;grant un nombre de composants r&eacute;duit sur des bo&icirc;tiers plus compacts. L&rsquo;avanc&eacute;e cruciale de la technologie STripFET VII DeepGATE de ST r&eacute;side dans l&rsquo;utilisation d&rsquo;une structure de grille MOSFET perfectionn&eacute;e, qui abaisse la r&eacute;sistance &agrave; l&rsquo;&eacute;tat passant (Ron) des composants et r&eacute;duit la capacit&eacute; interne et la charge de grille, avec &agrave; la cl&eacute; une commutation plus rapide et plus efficace. Par ailleurs, ces composants se caract&eacute;risent par une forte r&eacute;sistance en avalanche qui leur permet de r&eacute;sister &agrave; des &eacute;v&eacute;nements potentiellement dangereux et en fait un choix id&eacute;al pour les environnements automobiles.<br \/>\nPlus de 15 composants de la famille STripFET VII DeepGATE sont imm&eacute;diatement disponibles sous forme d&rsquo;&eacute;chantillons ou en s&eacute;rie, parmi lesquels la r&eacute;f&eacute;rence STP270N8F7 &agrave; 80 V et plusieurs r&eacute;f&eacute;rences &agrave; 100 V en bo&icirc;tiers TO-220, DPAK, PowerFLAT(TM) 5&#215;6, et H2PAK &agrave; 2 ou 6 contacts. Le prix pour 1.000 unit&eacute;s est compris entre 1,70 dollar pour les r&eacute;f&eacute;rences STD100N10F7 et STL100N10F7 (100 V) et 3,80 dollars pour le mod&egrave;le STH310N10F7-2. Pour toute commande plus importante, les clients sont invit&eacute;s &agrave; contacter leur bureau de ventes ST habituel.<\/p>\n<p><strong>&Agrave; propos des MOSFET de ST et de la tenue en tension:<\/strong><br \/>\nLa famille STripFET VII DeepGATE vient compl&eacute;ter le vaste portefeuille de technologies MOSFET de ST qui se caract&eacute;risent par un rendement &eacute;nerg&eacute;tique, une densit&eacute; de puissance et une robustesse &agrave; la pointe de l&rsquo;industrie aux valeurs de tenue en tension cl&eacute; utilis&eacute;es dans diff&eacute;rentes applications. La technologie STripFET VII DeepGATE convient id&eacute;alement aux syst&egrave;mes aliment&eacute;s sous des tensions continues telles que le 48 V, largement utilis&eacute; dans les applications de t&eacute;l&eacute;communications. Les composants &agrave; 80 V ou 100 V disposent d&rsquo;une &quot; marge de s&eacute;curit&eacute; &quot; suffisante pour r&eacute;sister &agrave; des pointes de tensions typiques pouvant toucher des syst&egrave;mes aliment&eacute;s sous 48 V. Les MOSFET STripFET VII DeepGATE sont &eacute;galement choisis pour leurs performances tr&egrave;s robustes dans les applications automobiles fonctionnant sous 12 ou 24 V.<br \/>\nD&rsquo;autres technologies, telles que la technologie &agrave; superjonction MDmesh(TM), sont n&eacute;cessaires pour assurer une efficacit&eacute; optimale &agrave; des tensions nominales sup&eacute;rieures. Les composants MDmesh &agrave; 600 ou 650 V disposent d&rsquo;une marge de s&eacute;curit&eacute; adapt&eacute;e aux applications telles que les alimentations en courant alternatif\/courant continu, les ballasts d&rsquo;&eacute;clairage et les panneaux d&rsquo;affichage. Par ailleurs, ST a r&eacute;cemment annonc&eacute; une nouvelle famille MDmesh &agrave; haut rendement et faible charge de grille destin&eacute;e aux alimentations &agrave; r&eacute;sonance qui &eacute;quipent les t&eacute;l&eacute;viseurs &agrave; cristaux liquides (MDmesh II Low Qg).<\/p>\n<p><a target=\"_blank\" href=\"http:\/\/www.st.com\/pmos\" title=\"www.st.com\/pmos\" rel=\"noopener\">www.st.com\/pmos<\/a> <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>STMicroelectronics annonce l&rsquo;introduction de la toute derni\u00e8re g\u00e9n\u00e9ration de composants de puissance basse consommation con\u00e7us pour r\u00e9duire l&rsquo;impact environnemental d&rsquo;\u00e9quipements tels que les syst\u00e8mes informatiques ou de t\u00e9l\u00e9communications, les onduleurs solaires, l&rsquo;automatisation industrielle et autres applications 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