ST a développé ce boîtier à 4 contacts en collaboration avec Infineon qui présente également ses propres produits à super jonction, proposant ainsi une seconde source et une flexibilité optimale aux utilisateurs. "Le boîtier TO247-4 est très peu onéreux et ne requiert qu’une modification minimale du circuit imprimé pour remplacer un TO-247 standard, ce qui simplifie son adoption dans les systèmes d’alimentation", a déclaré Maurizio Giudice, directeur du marketing de la division Transistors de puissance de ST. "Nos nouveaux produits MDmesh montés sur ce boîtier amélioreront les performances environnementales du produit final en augmentant le rendement énergétique dans les modes actifs."
\nLe boîtier TO247-4 se caractérise par une construction interne innovante reposant sur une connexion Kelvin à la source. Cette dernière contourne l’inductance de source commune de la connexion électrique principale, ce qui élimine jusqu’à 60 % de pertes de commutation et permet aux concepteurs d’utiliser des fréquences de commutation plus élevées nécessitant des composants de filtrage plus compacts. L’association de ce boîtier et de la technologie à super-jonction MDmesh, qui affiche l’un des plus hauts niveaux de conduction par unité de surface de silicium, garantit les plus grandes économies d’énergie globales.
\nPremier de la gamme monté en boîtier TO247-4, ce MOSFET type N, 650 V, 0.056 ohms de Rds(on) typique et 42 A permet d’augmenter le rendement énergétique dans les circuits à correction active du facteur de puissance (PFC) et pont complet ou dans les convertisseurs de puissance en demi-pont utilisés dans une large gamme de produits électroniques grand public et industriels. De plus, il présente un haut niveau d’immunité au bruit, abaissant la susceptibilité aux interférences électromagnétiques (EMI). Grâce à sa tension nominale Vds pouvant atteindre 710 V et à une tenue dV\/dt élevée, les marges de sécurité s’en trouvent accrues, de même que la fiabilité. Testé à 100 % en avalanche, ce circuit autorise une utilisation dans les designs robustes.<\/p>\n