Certifié AEC-Q101 pour opérer avec des températures de canal jusqu’à 175 °C, ce transistor est adapté à des applications de contrôle de mouvement dans l’automobile telles que des ventilateurs, des pompes, et des moteurs DC sans balais.
\nLa 8e génération du procédé de fabrication à tranchée UMOS présente des améliorations significatives au niveau des caractéristiques de compromis entre RDS(ON) et Ciss, avec, en outre, de plus hautes vitesses de commutation et des émissions de bruit minimes. Combiné à la technologie propriétaire WARP utilisée pour le boîtier DPAK+, ce procédé de fabrication permet d’obtenir un RDS(ON) typique de tout juste 1,9 mohms pour ce MOSFET. Tout en offrant la même empreinte et la compatibilité broche à broche avec un boîtier traditionnel DPAK, le modèle DPAK+ remplace les liaisons filaires internes classiques en aluminium par des broches en cuivre. Ce type de liaison mécanique très fiable est capable de résister à des cycles répétés d’alimentation et peut subir des chocs et vibrations. La vaste plage de connexion combinée à une liaison électrique améliorée réduit l’échauffement, du fait des dispersions au niveau du boîtier, et diminue l’inductance de ce dernier. De plus, les pertes thermiques et le bruit sont abaissés alors que le composant commute à plus haute vitesse. Ce circuit affiche une résistance thermique maximale du canal au boîtier de 1,5 °C\/W et peut traiter un courant de drain jusqu’à 200 A max. La dissipation de puissance à 25 °C s’affiche à 100 W tandis que le courant de fuite à 40 V VDS est ultra faible, avec seulement 10 µA.<\/p>\n<\/p>\n