Fujitsu Semiconductor prévoit de commercialiser les appareils de puissance GaN sur un substrat de silicone, augmentant les diamètres des gaufres de silicone et permettant une production à moindre coût. L’entreprise a commencé à travailler sur la technologie GaN en 2009 et a commencé à fournir à des partenaires spécifiques en matière d’approvisionnement d’alimentation des échantillons d’appareils de puissance GaN en 2011. Depuis lors, Fujitsu a travaillé à l’optimisation des appareils pour une utilisation dans des unités d’alimentation. Fujitsu lancera sa production de masse des appareils GaN au second semestre de 2013.<\/p>\n
Fujitsu Semiconductor a travaillé en étroite collaboration avec Fujitsu Laboratories sur plusieurs initiatives techniques clés pour réaliser ces avancées technologiques, y compris le développement de la technologie des processus pour des cristaux de GaN de qualité sur un substrat de silicone. La collaboration a également permis de fournir des technologies pour les appareils, comme l’optimisation de la conception des électrodes pour contrôler l’augmentation de la résistance durant la commutation et la mise au point de la disposition d’un circuit pour les unités d’alimentation qui peuvent supporter la commutation à haut débit des appareils basés GaN. <\/p>\n
Les résultats permettent à Fujitsu Semiconductor d’assurer une efficacité de conversion qui dépasse les performances des appareils au silicone classiques à l’aide d’un appareil GaN dans un circuit de correction du facteur de puissance. Par exemple, Fujitsu Semiconductor a créé une unité d’alimentation d’un prototype de serveur intégrant un circuit de correction du facteur de puissance basé sur la technologie GaN avec une puissance de sortie de 2,5 kW. Ces impressionnantes performances rendent les appareils GaN adéquats pour une utilisation dans des applications haute tension à courant de forte intensité.<\/p>\n
Fujitsu Semiconductor a installé une ligne de production de masse pour des gaufres de 6 pouces dans son usine de Aizu-Wakamatsu et commencera la production à grande échelle des appareils GaN au cours du second semestre de 2013. En proposant des appareils GaN optimisés pour des applications client et un support pour la conception de circuits, Fujitsu Semiconductor permet le développement d’unités d’alimentation compactes à faibles pertes pour un large éventail d’utilisations. <\/p>\n