Ces composants sont optimisés pour répondre aux besoins de faible consommation et de dimensions compactes des applications de charge sans fil pour les terminaux portables alimentés par batterie tels que téléphones mobiles, caméras et appareils-photos numériques, PC tablettes et blocs-notes. La gamme comprend des SBD et des MOSFET simples et doubles à canal N et à canal P. Dédié à la commutation de charge dans un circuit d’émission\/réception pour chargeur sans fil, le modèle SSM6N55NU 30V, par exemple, est un double transistor MOSFET à canal N concentrant de hautes performances dans un boîtier UDFN6 ne mesurant que 2 x 2 x 0,75 mm. Un courant de drain de tout juste 4 A et une résistance série en ligne RDS(ON) aussi faible que 46 mohms assurent un fonctionnement hautement efficace. Ce composant s’inscrit dans une famille complète de transistors MOSFET combinant faible RDS(ON) et boîtier ultra compact. Les simples et doubles SBD affichent des tensions inverses nominales de 30 V et de très faibles tensions directes nominales (VF) pouvant descendre à 0,45 V. Elles peuvent être encapsulées dans des boîtiers ultra miniatures qui vont de l’USC (SOD-323) avec des dimensions de 2,5 x 1,25 x 0,9 mm, aux CST2B qui ne mesurent que 1,2 x 0,8 x 0,6 mm.<\/p>\n
Parmi les applications de ces composants figurent la commutation de charge, la rectification basse tension, les circuits bridge et la protection contre les courants inverses.<\/p>\n
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