Grâce au protocole quad-SPI ou SQI, ces mémoires atteignent des vitesses de 80 Mbit\/s qui permettent des temps de cycle d’écriture réduits à zéro, avec un déplacement des blocs de données presque instantané nécessaire pour le chargement des graphismes, la mise en mémoire tampon et l’enregistrement chronologique des données, les affichages, les calculs, l’audio, la vidéo et autres fonctions très consommatrices en données.<\/p>\n
De plus, les variantes 23LCV512 et 23LCV1024 offrent des options économiques en termes de RAM non volatile à endurance illimitée grâce à la présence d’une batterie de secours. Leur débit dual SPI (SDI) de 40 Mbit\/s et leur faible consommation tant en mode veille qu’en mode actif, font que ces composants NVSRAM série sont très rapides, avec un faible nombre de broches, pour une consommation électrique comparable à celle des FRAM mais à un coût significativement inférieur. Ils sont particulièrement adaptés aux applications du type compteurs d’énergie, boîtes noires et autres enregistreurs de données qui requièrent une endurance illimitée ou des cycles d’écriture instantanés en plus d’un stockage des données sur mémoire non volatile.<\/p>\n
Avec les SRAM de 1 Mbit, les développeurs d’applications embarquées peuvent utiliser plus de RAM car cela se révèle plus économique que de migrer vers un microcontrôleur ou processeur plus gros. La consommation, le nombre de broches et le prix de revient sont également moins élevés qu’avec des SRAM parallèles. En outre, ces SRAM étant SPI, la compatibilité avec les interfaces série, de plus en plus utilisées, est assurée. En effet, le marché des EEPROM est largement dominé par les interfaces séries et celui des mémoires Flash est en passe d’effectuer cette transition, car les composants parallèles ont un coût, un encombrement et une consommation électrique plus élevés. <\/p>\n
Ces six composants SRAM sont disponibles en boîtiers SOIC, TSSOP et PDIP à 8 broches, avec les options de densité de mémoire de 512 Kbit et 1 Mbit. <\/p>\n
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