{"id":224717,"date":"2012-07-09T22:00:00","date_gmt":"2012-07-09T22:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/eenewseurope.artwhere.co\/soitec-et-silian-accord-sur-developpement-de-pseudo-substrats-pour-led\/"},"modified":"2012-07-09T22:00:00","modified_gmt":"2012-07-09T22:00:00","slug":"soitec-et-silian-accord-sur-developpement-de-pseudo-substrats-pour-led","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/soitec-et-silian-accord-sur-developpement-de-pseudo-substrats-pour-led\/","title":{"rendered":"Soitec et Silian : accord sur d\u00e9veloppement de pseudo-substrats pour LED"},"content":{"rendered":"

L’accord de développement conjoint signé par les deux sociétés permettra de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec. Les deux partenaires envisagent d’échantillonner les premiers pseudo-substrats en GaN cette année. <\/strong>Chantal Arena, Directrice générale de Soitec Phoenix Labs, où a été développé la technologie HVPE, a déclaré : " Notre stratégie était d’utiliser les caractéristiques des équipements d’épitaxie utilisés couramment en production dans l’industrie des semi-conducteurs à partir de silicium et d’y ajouter notre système original d’injection de la source de gallium pour créer un équipement HVPE de haute productivité. Nous avons ensuite développé avec succès des procédés de croissance cristalline extrêmement rapide qui permettent de réaliser ces pseudo-substrats en nitrure de gallium de façon nettement moins onéreuse qu’avec la technique d’épitaxie en phase vapeur utilisant des organométalliques beaucoup plus couteux (MOVPE)<\/em>. ".<\/em>
\n" Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de diodes LED pourront libérer jusqu’à 60 % de leur capacité MOVPE. Les fabricants de diodes LED peuvent à présent se concentrer sur l’amélioration des couches les plus délicates, qui constituent la partie électroluminescente des diodes<\/em> ", explique André-Jacques Auberton-Hervé, Président-Directeur général de Soitec. " Outre cette opportunité commerciale, nous explorons la possibilité d’élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l’éclairage par LED, en utilisant l’expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona. "<\/em><\/p>\n

A propos de Silian <\/strong><\/p>\n

Chongqing Silian Optoélectronique Science & Technology Co., Ltd (Silian) a été fondée par l’entreprise Chinoise Silian Instrument Group Co., Ltd pour le développement de l’industrie LED. Suite à l’acquisition de l’entreprise Honeywell dédiée aux substrats de saphir, Silian est devenue la première entreprise Chinoise à pouvoir produire des substrats de saphir de large diamètre et de haute qualité et ayant des capacités de R & D. La gamme de produits Silian couvre une gamme complète de la chaîne d’approvisionnement LED, leader mondial de substrats de large diamètre de substrats de saphir, de composants LED, écrans LED, éclairage LED et une technologie intelligente de contrôle de système d’éclairage. Basé sur les technologies de base de substrats de saphir, l’éclairage LED et une méthode de fabrication flexible, Silian est la plus grande entreprise industrielle de semi-conducteurs économes en énergie dans l’ouest de la Chine. Silian a un fort réseau de ventes et de distribution, des usines sous traitante de fabrication et des centres de R & D situés en Chine et en Amérique du Nord.  <\/p>\n

A propos de Soitec <\/strong>
\nSoitec est une entreprise industrielle internationale dont le cœur de métier est la génération et la production de matériaux semi-conducteurs d’extrêmes performances. Ses produits, des substrats pour circuits intégrés (notamment à base de SOI – Silicium On Insulator) et des systèmes photovoltaïques à concentration (CPV), ses technologies Smart Cut, Smart Stacking et Concentrix ainsi que son expertise en épitaxie en font un leader mondial. Soitec relève les défis de performance et d’efficacité énergétique pour une large palette d’applications destinées aux marchés de l’informatique, des télécommunications, de l’électronique automobile, de l’éclairage et des centrales solaires à forte capacité. Soitec a aujourd’hui des implantations industrielles et des centres de R&D en France, à Singapour, en Allemagne et aux Etats-Unis. <\/p>\n

 <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Soitec, leader mondial de la g\u00e9n\u00e9ration et de la production de mat\u00e9riaux semi-conducteurs hautes performances pour l’\u00e9lectronique et l’\u00e9nergie, et la soci\u00e9t\u00e9 chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology Co., Ltd. (Silian), fournisseur reconnu de mat\u00e9riaux, produits et syst\u00e8mes destin\u00e9s \u00e0 l’industrie de l’\u00e9clairage, ont sign\u00e9 un accord de partenariat portant sur le d\u00e9veloppement conjoint de pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant la HVPE ou m\u00e9thode d’\u00e9pitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy). Les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus permettent de fabriquer des diodes \u00e9lectroluminescentes (LED) performantes en r\u00e9alisant des \u00e9conomies exceptionnelles.<\/p>\n","protected":false},"author":22,"featured_media":224718,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[],"tags":[],"domains":[47],"ppma_author":[1149],"class_list":["post-224717","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"Soitec et Silian : accord sur d\u00e9veloppement de pseudo-substrat...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Soitec, leader mondial de la g\u00e9n\u00e9ration et de la production de mat\u00e9riaux semi-conducteurs hautes performances pour l'\u00e9lectronique et l'\u00e9nergie, et la...\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/224717\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"fr_FR\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"Soitec et Silian : accord sur d\u00e9veloppement de pseudo-substrats pour LED\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Soitec, leader mondial de la g\u00e9n\u00e9ration et de la production de mat\u00e9riaux semi-conducteurs hautes performances pour l'\u00e9lectronique et l'\u00e9nergie, et la soci\u00e9t\u00e9 chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology Co., Ltd. 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