Conçus avec le procédé technologique propriétaire U-MOSVI canal P, les MOSFET référencés SSM3J133TU, SSM3J134TU et SSM3J135TU affichent des valeurs maximales de courant de drain (ID) de -5,5 A, -3,2 A et -3 A respectivement. Tous ces composants affichent des valeurs maximales de 20V pour les tensions drain-source (VDSS) et de ±8V pour les tensions grille-source (VGSS). Outre ces tensions maximales grille-source, ils présentent aussi une tension de seuil de grille (Vth) de seulement 1 V au maximum, ce qui permet une alimentation stable à partir de 1,5 V. Avec cette tension de coupure, ces trois circuits sont des solutions bien adaptées pour les applications avec des alimentations par batterie.
\nCes transistors garantissent un rendement optimal et des vitesses élevées de commutation grâce à un design qui réduit la résistance série en ligne (RDS(ON)) et la capacité sur l’entrée (Ciss). Comme ces trois modèles affichent différentes valeurs de RDS(ON) et Ciss , les concepteurs peuvent choisir le dispositif le mieux adapté à leur application, soit le modèle SSM3J133TU avec la plus faible résistance RDS(ON) pour de faibles pertes, ou le modèle SSM3J135TU avec la plus faible valeur de capacité Ciss pour un fonctionnement à haute vitesse. Le modèle SSM3J134TU offre, lui, une performance équilibrée entre faibles pertes et commutation haute vitesse.
\nA ces trois modèles s’ajoute le SSM3J132TU qui présente un RDS(ON) max de seulement 98 mW avec une tension sur la grille de 1,2 V.
\nCes circuits sont encapsulés dans un boîtier UFM pour montage en surface qui n’occupe que 2 mm x 2,1 mm sur la carte électronique, avec une hauteur de seulement 0,7 mm. Cette structure plate permet à ce boîtier d’offrir une dissipation de puissance de 500 mW avec l’empreinte d’un boîtier SOT-323.<\/p>\n