Les demandes pour les d\u00e9veloppements de syst\u00e8mes comme des alimentations ou des commandes \u00ab\u00a0MARCHE\/ARR\u00caT\u00a0\u00bb qui combinent des produits \u00e0 sortie source et \u00e0 sortie puits, sont en pleine augmentation.<\/p>\n
Ces matrices de transistors FET DMOS couvrent les deux types de sortie. Elles fonctionnent sans courant de base, r\u00e9duisant ainsi les courants d’entr\u00e9e. Avec leur capacit\u00e9 d’accepter des densit\u00e9s de courant \u00e9lev\u00e9es tout en maintenant une faible r\u00e9sistance \u00e0 l’\u00e9tat passant, elles augmentent le rendement et garantissent de faibles pertes \u00e9nerg\u00e9tiques. Elles supportent des tensions \u00e9lev\u00e9es et un courant important de valeurs nominales maximum de 50 V\/ 0.5 A en sortie.<\/p>\n
Ces composants sont encapsul\u00e9s dans diff\u00e9rents types de bo\u00eetiers, notamment DIP18, SOP18 et SOL18 pour le montage en surface (CMS), ou encore SSOP18 au pas de 0.65 mm pour les applications o\u00f9 l’espace est limit\u00e9. Afin d’obtenir ces hauts niveaux d’int\u00e9gration, ils utilisent la toute derni\u00e8re technologie de semi-conducteur BiCD regroupant des dispositifs bipolaires, CMOS, et DMOS sur le m\u00eame support.<\/p>\n
\nCes matrices trouveront leur utilisation dans un large \u00e9ventail d’applications, notamment le pilotage de moteurs, de relais ou de LED.<\/p>\n