Le lancement de la DRAM de classe 10 nm (1x) repr\u00e9sente pour Samsung un bond en avant apr\u00e8s la production en s\u00e9rie de la premi\u00e8re DRAM DDR3 de 4 Gb grav\u00e9e en 20 nm en 2014. Les difficult\u00e9s li\u00e9es aux r\u00e9ductions d’\u00e9chelle DRAM ont pu \u00eatre ma\u00eetris\u00e9es gr\u00e2ce \u00e0 la lithographie par immersion liquide au fluorure d’argon (ArF), sans l\u2019utilisation d’\u00e9quipement \u00e0 rayonnement ultraviolet extr\u00eame (UVE).<\/p>\n
\u00ab\u00a0La DRAM 10 nm de Samsung va optimiser l’investissement en syst\u00e8mes informatiques pour devenir un nouveau moteur de croissance pour l’industrie mondiale des m\u00e9moires,\u00a0\u00bb a d\u00e9clar\u00e9 Young-Hyun Jun, pr\u00e9sident de l’activit\u00e9 M\u00e9moires chez Samsung Electronics. \u00ab\u00a0Dans un proche avenir, nous lancerons \u00e9galement des produits DRAM mobile de classe 10 nm de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de hautes capacit\u00e9s. Les fabricants d’appareils mobiles pourront ainsi mettre au point des produits encore plus innovants am\u00e9liorant le c\u00f4t\u00e9 pratique de l\u2019utilisation.\u00a0\u00bb<\/p>\n
Cette m\u00e9moire DDR4 8 Gb de classe 10 nm a consid\u00e9rablement am\u00e9lior\u00e9 la productivit\u00e9 par wafer, avec plus de 30 % par rapport \u00e0 la version pr\u00e9c\u00e9dente en 20 nm. Elle atteint un d\u00e9bit de transfert de donn\u00e9es de 3200 m\u00e9gabits par seconde (Mbit\/s), rapidit\u00e9 sup\u00e9rieure \u00e0 30 % par rapport aux 2400 Mbit\/s de la 20 nm. De plus, les modules bas\u00e9s sur ces puces DRAM de classe 10 nm consomment 10 \u00e0 20 % moins d’\u00e9nergie que leurs \u00e9quivalents en 20 nm. La conception des syst\u00e8mes de calcul haute performance (CHP) de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration, et d’autres r\u00e9seaux de grandes entreprises, est donc plus efficace et ces modules pourront aussi \u00eatre utilis\u00e9s sur les march\u00e9s des PC et des serveurs grand public. Ainsi, leurs capacit\u00e9s s’\u00e9chelonnent de 4 Go pour les PC portables \u00e0 128 Go pour les serveurs d\u2019entreprise.<\/p>\n
Gr\u00e2ce aux avanc\u00e9es de sa DDR4 DRAM classe 10 nm, Samsung pr\u00e9voit de lancer \u00e9galement une solution DRAM mobile classe 10 nm haute capacit\u00e9 et grande vitesse au cours de cette ann\u00e9e, pour renforcer sa sup\u00e9riorit\u00e9 sur le march\u00e9 des t\u00e9l\u00e9phones intelligents ultra-HD.<\/p>\n