Compar\u00e9es aux diodes de puissance bipolaires au silicium standard, ces diodes SiC Schottky r\u00e9duisent les pertes de commutation, s’adaptent \u00e0 de larges plages de courants de cr\u00eate sans emballement thermique et fonctionnent \u00e0 des temp\u00e9ratures de jonction plus \u00e9lev\u00e9es, d’o\u00f9 une augmentation substantielle de l’efficacit\u00e9 du syst\u00e8me et de sa robustesse.<\/p>\n
La structure fusionn\u00e9e du dispositif Schottky p-n (MPS) conf\u00e8re \u00e0 ces diodes une capacit\u00e9 accrue \u00e0 supporter les pics de tension avec un courant de fuite r\u00e9duit. Propos\u00e9es dans des tensions nominales de 650 V et 1200 V avec des courants nominaux de 4 A \u00e0 30 A, elles conviennent \u00e0 un large \u00e9ventail de secteurs dont les alimentations \u00e0 d\u00e9coupage, les onduleurs solaires, les circuits de commande, les \u00e9quipements de soudure et de d\u00e9coupe par plasma, et les bornes de recharge pour v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Ces diodes SiC Schottky offrent des avantages cl\u00e9s tels qu\u2019une charge capacitive stock\u00e9e parmi les meilleures de leur cat\u00e9gorie et un temps de recouvrement proche de z\u00e9ro qui en font des solutions ad\u00e9quates pour les commutations de courant \u00e0 haute fr\u00e9quence, garantissent des pertes de commutation n\u00e9gligeables et r\u00e9duisent le stress sur le commutateur oppos\u00e9.
\nLeur chute de tension forward particuli\u00e8rement performante garantit de faibles pertes de conduction et leur temp\u00e9rature maximale de jonction de 175 \u00b0C autorise une plus grande souplesse de conception et des exigences de gestion thermique moins contraignantes.<\/p>\n
\u201cNous sommes fiers de pr\u00e9senter notre ligne de diodes SiC Schottky comme composante de notre gamme croissante de semi-conducteurs de puissance,\u201d explique Dr. Kevin Speer, directeur du d\u00e9veloppement pour la ligne technologie des semi-conducteurs de puissance. \u201cAvec une des chutes de tension forward et une charge capacitive stock\u00e9e des meilleures dans leur cat\u00e9gories, les diodes SiC Littelfuse permettront \u00e0 nos clients d’optimiser l’efficacit\u00e9 de leurs conceptions tout en am\u00e9liorant la robustesse et la fiabilit\u00e9 de leurs \u00e9quipements.\u201d<\/p>\n
Ces composants sont encapsul\u00e9s en bo\u00eetiers TO-220 \u00e0 deux broches et TO-247 \u00e0 trois broches conditionn\u00e9s en tubes.<\/p>\n