La technologie GaN supporte des densit\u00e9s de puissance radio fr\u00e9quence (RF) cinq \u00e0 six fois plus \u00e9lev\u00e9es que les amplificateurs RF en ars\u00e9niure de gallium. Les performances et la fiabilit\u00e9 d\u00e9montr\u00e9es de cette technologie conviennent particuli\u00e8rement pour les applications d’infrastructure, de d\u00e9fense et de l’a\u00e9rospatiale telles que les radars, la guerre \u00e9lectronique, les communications, la navigation et applications \u00e9quivalentes.
\nCette augmentation des capacit\u00e9s offre aux concepteurs la flexibilit\u00e9 de r\u00e9duire l’encombrement sur la carte et les co\u00fbts des syst\u00e8mes tout en am\u00e9liorant les performances de ceux-ci.<\/p>\n
Sans plomb et conforme \u00e0 la r\u00e8glementation RoHS, ce composant pr\u00e9sente des performances large bande exceptionnelles et accepte jusqu’\u00e0 40 V. Il fonctionne entre 0,1 et 3,0 GHz et fournit plus de 10 W de puissance de sortie satur\u00e9e avec plus de 13 dB de gain en grands signaux et plus de 38% de PAE. En outre, il b\u00e9n\u00e9ficie d’une adaptation d’imp\u00e9dance \u00e0 50 ohms sur les deux ports RF, simplifiant l’int\u00e9gration dans les syst\u00e8mes.<\/p>\n
Encapsul\u00e9 en bo\u00eetier pour montage en surface QFN-14 de 4 x 4 mm \u00e0 faible co\u00fbt, cet amplificateur est bien adapt\u00e9 aux applications radar et communication utilis\u00e9es dans le secteur de la d\u00e9fense et le secteur commercial.<\/p>\n