Cette sensibilit\u00e9 am\u00e9lior\u00e9e peut \u00eatre d\u00e9terminante dans certaines applications comme l’imagerie scientifique et m\u00e9dicale, o\u00f9 les sources de photons \u00e9mettent dans les longueurs d’onde NIR ; ou encore dans les domaines de la vision par ordinateur ou des syst\u00e8mes ITS (Intelligent Transport System, ou syst\u00e8me de transport intelligent) o\u00f9 l’illumination NIR est souvent utilis\u00e9e pour mieux analyser un objet ou isoler la plaque min\u00e9ralogique d’un v\u00e9hicule.
\nLa nouvelle conception de pixel CCD utilis\u00e9e dans le KAI-08052 \u00e9tend la r\u00e9gion de capture des \u00e9lectrons plus profond\u00e9ment dans le silicium, afin de mieux capturer les \u00e9lectrons produits par les photons \u00e0 plus grande longueur d’onde. Ces puits de pixels plus profonds am\u00e9liorent la d\u00e9tection des longueurs d’onde NIR d’un facteur 2, en fonction de la longueur d’onde consid\u00e9r\u00e9e. Par ailleurs, \u00e9tant donn\u00e9 que la structure des puits isole les photodiodes entre elles, cette sensibilit\u00e9 NIR accrue ne se produit pas au d\u00e9triment de la nettet\u00e9 de l’image (Modulaton Transfer Function, ou fonction de transfert \u00e0 modulation).
\n\u00ab Les fabricants de cam\u00e9ras et les utilisateurs finaux continuent d’affirmer que les produits \u00e0 base de technologies CCD et CMOS seront n\u00e9cessaires sur ces march\u00e9s, ce qui signifie que nous devons continuer de d\u00e9velopper et de faire progresser ces deux technologies, \u00bb d\u00e9clare Herb Erhardt, Vice-Pr\u00e9sident et Directeur G\u00e9n\u00e9ral de la division Industrie et S\u00e9curit\u00e9, du groupe Capteurs d’images, chez ON Semiconductor. \u00ab Le KAI-08052 apporte une nette am\u00e9lioration de sensibilit\u00e9 NIR par rapport \u00e0 notre conception de pixels standard, et nous nous avons h\u00e2te de mettre en oeuvre cette technologie dans d’autres produits \u00e0 l’avenir. \u00bb<\/p>\n