\u00ab L’omnipr\u00e9sence des machines intelligentes connect\u00e9es et des appareils grand public sont la preuve qu\u2019une r\u00e9volution industrielle est proche \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Jong Shik Yoon, vice-pr\u00e9sident ex\u00e9cutif de l’activit\u00e9 fonderie chez Samsung Electronics. \u00ab Pour rester comp\u00e9titifs dans l’environnement commercial rapide actuel et pour atteindre leurs buts et objectifs commerciaux, nos clients ont besoin d’un partenaire de fonderie ayant une feuille de route compl\u00e8te aux n\u0153uds technologiques de gravure avanc\u00e9s \u00bb. Au Samsung Foundry Forum, Samsung a r\u00e9v\u00e9l\u00e9 ses derni\u00e8res technologies et solutions de gravure de fonderie, notamment :<\/p>\n
\u00b7 8LPP (8 nm Low Power Plus) : le 8LPP offre les avantages de la r\u00e9duction d’\u00e9chelle les plus comp\u00e9titifs avant la transition \u00e0 la lithographie EUV (ultra-violet extr\u00eame). Associant des innovations cl\u00e9s des technologies 10 nm, le 8LPP offre des avantages suppl\u00e9mentaires en mati\u00e8re de performances et de densit\u00e9 de grille par rapport au 10LPP.<\/p>\n
\u00b7 7LPP (7 nm Low Power Plus) : Le 7LPP sera la premi\u00e8re technologie de gravure \u00e0 semi-conducteurs \u00e0 utiliser une solution de lithographie EUV. Une source EUV de 250 W de puissance maximale repr\u00e9sente le jalon le plus important de l’insertion des EUV dans la production en grandes s\u00e9ries, et le fruit des efforts de collaboration de Samsung et ASML. Le d\u00e9ploiement de la lithographie EUV va repousser les limites de la loi de Moore et ouvrir la voie \u00e0 des g\u00e9n\u00e9rations technologiques de semi-conducteurs d\u2019un seul nanom\u00e8tre.<\/p>\n
\u00b7 6LPP (6 nm Low Power Plus) : Le 6LPP adoptera les solutions Smart Scaling exclusives de Samsung. Elles seront int\u00e9gr\u00e9es sur la technologie 7LPP bas\u00e9e sur EUV, ce qui permettra une plus grande r\u00e9duction d’\u00e9chelle et des avantages d’une consommation ultra-faible.<\/p>\n
\u00b7 5LPP (5 nm Low Power Plus) : Le 5LPP repousse les limites mat\u00e9rielles de la r\u00e9duction d’\u00e9chelle de la structure FinFET en mettant en \u0153uvre des innovations technologiques provenant de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de proc\u00e9d\u00e9, le 4LPP, pour am\u00e9liorer la r\u00e9duction d’\u00e9chelle et de consommation.<\/p>\n
\u00b7 4LPP (4 nm Low Power Plus) : Le 4LPP sera la premi\u00e8re impl\u00e9mentation de l’architecture de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration, la structure MBCFETTM (Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistor). MBCFETTM est la technologie exclusive GAAFET (Gate All Around FET) de Samsung qui utilise une nanofeuille atomique pour surmonter les limites mat\u00e9rielles et de performances de la r\u00e9duction d’\u00e9chelle de l’architecture FinFET.<\/p>\n
\u00b7 FD-SOI (Fully Depleted \u2013 Silicon on Insulator) : Bien adapt\u00e9e aux applications IdO, Samsung d\u00e9veloppera progressivement sa technologie 28FDS dans une offre de plateforme \u00e9tendue en int\u00e9grant les options RF et eMRAM. Annonc\u00e9 aujourd’hui, 18FDS est le n\u0153ud de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de la feuille de route FD-SOI de Samsung avec des valeurs PPA (Power\/Performance\/Area) am\u00e9lior\u00e9es.<\/p>\n
M. Yoon a conclu que \u00ab la feuille de route de la technologie de gravure avanc\u00e9e de Samsung Foundry t\u00e9moigne de la nature collaborative de nos relations avec les clients et les partenaires de l’\u00e9cosyst\u00e8me. Avec l’inclusion des technologies de gravure d\u00e9crites ci-dessus, de nouveaux dispositifs verront le jour. La connexion sera alors incomparable pour les clients \u00bb.<\/p>\n
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Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondial en mati\u00e8re de technologie avanc\u00e9e des semi-conducteurs, a annonc\u00e9 sa feuille de route compl\u00e8te des technologies de gravure pour aider ses clients \u00e0 concevoir et \u00e0 fabriquer des puces plus rapides et plus efficaces en consommation. Des centres de donn\u00e9es \u00e0 tr\u00e8s grande \u00e9chelle \u00e0 l\u2019Internet des objets, l’industrie a aujourd\u2019hui tendance \u00e0 mettre au point des dispositifs intelligents toujours connect\u00e9s. Ceci implique de renouveler et d\u2019optimiser l\u2019acc\u00e8s aux informations toujours plus volumineuses. Samsung est pr\u00eate \u00e0 dominer le secteur avec ses technologies FD-SOI de 8 nm, 7 nm, 6 nm, 5 nm, 4 nm et 18 nm dans sa plus r\u00e9cente feuille de route des technologies de gravure. <\/p>\n","protected":false},"author":9,"featured_media":171176,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[],"tags":[],"domains":[47],"ppma_author":[1141],"class_list":["post-171175","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"