Les nouveaux MOSFET SiC 650 V de classe automobile, qualifi\u00e9s AECQ101, et de classe industrielle d’ON Semiconductor font appel \u00e0 un mat\u00e9riau \u00e0 large bande interdite offrant des performances de commutation sup\u00e9rieures et des caract\u00e9ristiques thermiques accrues par rapport au silicium. Cela se traduit par un meilleur rendement global, une densit\u00e9 de puissance accrue, une r\u00e9duction des parasites \u00e9lectromagn\u00e9tiques (EMI), ainsi qu’une diminution de la taille et du poids global.<\/p>\n
Cette nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de MOSFET SiC utilise une nouvelle conception de cellule active, associ\u00e9e \u00e0 une technologie de wafers tr\u00e8s minces permettant d’obtenir le meilleur facteur de m\u00e9rite Rsp (RDS(ON)<\/sub> x surface) de la cat\u00e9gorie, pour une tension de claquage de 650 V. Les NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 et NTH4L015N065SC1 pr\u00e9sentent la RDS(ON)<\/sub> la plus basse (12 mOhm) du march\u00e9, en bo\u00eetier D2PAK7L ou TO247. Cette technologie est \u00e9galement optimis\u00e9e en termes de facteur de m\u00e9rite pour les pertes d’\u00e9nergie, afin d’optimiser les performances pour les applications automobiles et industrielles. Une r\u00e9sistance de grille interne (Rg) offre aux concepteurs plus de souplesse, en leur \u00e9vitant d’avoir \u00e0 ralentir la commutation avec des r\u00e9sistances de grille externes. La plus grande r\u00e9sistance de ces MOSFET aux surtensions, aux avalanches et aux courts-circuits contribue \u00e0 renforcer leur robustesse, ce qui permet d’accro\u00eetre leur fiabilit\u00e9 et d\u2019\u00e9tendre leur dur\u00e9e de vie.<\/p>\n A propos de cette annonce, Asif Jakwani, Vice-Pr\u00e9sident Senior de la division Advanced Power chez ON Semiconductor, d\u00e9clare : \u00ab Dans les applications de puissance modernes telles que les chargeurs embarqu\u00e9s (OBC) pour VE et d’autres applications comme les \u00e9nergies renouvelables, l’informatique et les t\u00e9l\u00e9communications d’entreprise, le rendement, la fiabilit\u00e9 et la densit\u00e9 de puissance, repr\u00e9sentent des d\u00e9fis constants pour les concepteurs. Ces nouveaux MOSFET SiC apportent un gain de performances consid\u00e9rable par rapport aux technologies de commutation silicium, ce qui permet aux concepteurs d’atteindre des objectifs ambitieux. L’am\u00e9lioration des performances permet de r\u00e9duire les pertes, ce qui am\u00e9liore le rendement et r\u00e9duit les besoins de gestion thermique, ainsi que les parasites \u00e9lectromagn\u00e9tiques. Au bout du compte, utiliser ces nouveaux MOSFET SiC permet d’obtenir une solution plus compacte, plus l\u00e9g\u00e8re, plus fiable, et offrant un meilleur rendement. \u00bb<\/p>\n