Intel a d\u00e9voil\u00e9 sa route vers une am\u00e9lioration de plus de 10 fois la densit\u00e9 d’interconnexion dans le packaging avec un bonding hybride, une am\u00e9lioration de 30 \u00e0 50 % de la surface par l’am\u00e9lioration des transistors et de nouvelles technologies d’informatique quantique lors de l’IEDM (International Electron Devices Meeting) organis\u00e9 par l’IEEE le mois dernier.<\/p>\n
\u00ab Chez Intel, la recherche et l’innovation n\u00e9cessaires pour faire avancer la loi de Moore ne s’arr\u00eatent jamais. Notre groupe de recherche sur les composants partage les principales avanc\u00e9es de la recherche \u00e0 l’IEDM 2021 en apportant des technologies de processus et de packaging r\u00e9volutionnaires pour r\u00e9pondre \u00e0 la demande insatiable d’informatique puissante dont d\u00e9pendent notre industrie et notre soci\u00e9t\u00e9. C\u2019est le r\u00e9sultat du travail inlassable de nos meilleurs scientifiques et ing\u00e9nieurs. Ils continuent d’\u00eatre \u00e0 la pointe des innovations pour la poursuite de la loi de Moore \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Robert Chau, Senior Fellow d’Intel et directeur g\u00e9n\u00e9ral de la recherche sur les composants.<\/p>\n
Le groupe de recherche sur les composants travaille dans trois domaines cl\u00e9s : la miniaturisation des technologies pour fournir plus de transistors ; de nouvelles capacit\u00e9s de silicium pour les gains de puissance et de m\u00e9moire ; et l’exploration de nouveaux concepts en physique pour r\u00e9volutionner la fa\u00e7on dont le monde fait de l’informatique. De nombreux produits semiconducteurs actuels d’Intel sont issus du travail de recherche du groupe Component Research, y compris le silicium contraint, les metal gates Hi-K, les transistors FinFET, RibbonFET et le packaging, y compris EMIB et Foveros Direct.<\/p>\n
Les chercheurs de l’entreprise ont d\u00e9crit des solutions pour les d\u00e9fis de conception, de processus et d’assemblage de l’interconnexion par bonding hybride, trouvant un moyen d’am\u00e9liorer la densit\u00e9 d’interconnexion de 10 fois. En juillet dernier, Intel a annonc\u00e9 son intention d’introduire Foveros Direct, permettant des pas de bosse inf\u00e9rieurs \u00e0 10 microns, offrant une augmentation d’un ordre de grandeur de la densit\u00e9 d’interconnexion pour l’empilement 3D. Pour permettre \u00e0 l’\u00e9cosyst\u00e8me de b\u00e9n\u00e9ficier des avantages d’un packaging avanc\u00e9, Intel appelle \u00e9galement \u00e0 l’\u00e9tablissement de nouvelles normes de l’industrie et de proc\u00e9dures de test pour permettre un \u00e9cosyst\u00e8me de bonding hybride de chiplets.<\/p>\n
Au-del\u00e0 de son RibbonFET avec gate-all-around, Intel d\u00e9veloppe une approche pour empiler plusieurs transistors CMOS qui vise \u00e0 obtenir une am\u00e9lioration de 30 \u00e0 50 % de la densit\u00e9 de la logique pour l’avancement continu de la loi de Moore en installant plus de transistors par millim\u00e8tre carr\u00e9.<\/p>\n
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\u00e0 suivre: l’\u00e8re de l’Angstrom <\/strong><\/em><\/p>\n Intel se penche \u00e9galement vers l’\u00e8re de l’angstr\u00f6m avec des recherches montrant comment de nouveaux mat\u00e9riaux de quelques atomes d’\u00e9paisseur seulement peuvent \u00eatre utilis\u00e9s pour fabriquer des transistors qui surmontent les limites des canaux de silicium conventionnels, permettant des millions de transistors suppl\u00e9mentaires par zone de puce pour une informatique plus puissante au cours de la prochaine d\u00e9cennie.<\/p>\n Des technologies de puissance plus efficaces progressent gr\u00e2ce \u00e0 la premi\u00e8re int\u00e9gration au monde de commutateurs de puissance \u00e0 base de GaN avec un CMOS silicium sur une plaquette de 300 mm. Cela ouvre la voie \u00e0 une alimentation \u00e0 faibles pertes et \u00e0 haute vitesse vers les processeurs tout en r\u00e9duisant simultan\u00e9ment les composants et l’espace de la carte m\u00e8re.<\/p>\n Une autre avanc\u00e9e r\u00e9side dans les capacit\u00e9s de lecture\/\u00e9criture \u00e0 faible latence d’Intel utilisant des mat\u00e9riaux ferro\u00e9lectriques pour une \u00e9ventuelle technologie DRAM embarqu\u00e9e de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration qui peut fournir de plus grandes ressources m\u00e9moire pour r\u00e9pondre \u00e0 la complexit\u00e9 croissante des applications de calcul, des jeux jusqu’\u00e0 l’IA.<\/p>\n Intel travaille \u00e9galement sur l’informatique quantique bas\u00e9e sur des transistors en silicium, ainsi que des commutateurs enti\u00e8rement nouveaux pour une informatique extr\u00eamement \u00e9conome en \u00e9nergie avec de nouveaux composants fonctionnant \u00e0 temp\u00e9rature ambiante. \u00c0 l’avenir, ils pourraient remplacer les transistors MOSFET classiques en utilisant des concepts enti\u00e8rement nouveaux en physique, y compris la premi\u00e8re r\u00e9alisation exp\u00e9rimentale au monde d’un compoisant logique magn\u00e9to\u00e9lectrique spin-orbit (MESO) \u00e0 temp\u00e9rature ambiante, qui a montr\u00e9 la possibilit\u00e9 de fabriquer un nouveau type de transistor bas\u00e9 sur la commutation d’aimants nanom\u00e9triques.<\/p>\n Intel et le laboratoire de recherche belge imec<\/strong> progressent dans la recherche sur des mat\u00e9riaux spintroniques pour rapprocher la recherche sur l’int\u00e9gration de composants de la r\u00e9alisation d’un composant spin-torque enti\u00e8rement fonctionnel.<\/p>\n Intel a \u00e9galement montr\u00e9 des flux de process qubit complets de 300 mm pour la r\u00e9alisation d’une informatique quantique \u00e9volutive compatible avec la fabrication CMOS et identifie les prochaines \u00e9tapes pour les recherches futures.<\/p>\n Le groupe de recherche sur les composants d’Intel invente une technologie r\u00e9volutionnaire de processus et de packaging<\/a> (vid\u00e9o)<\/p>\n <\/p>\n Lire aussi:<\/strong><\/p>\n <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Intel se dirige vers l’\u00e8re de l’angstr\u00f6m pour ses semiconducteurs et vers l’informatique quantique selon la pr\u00e9sentation de ses tendances technologiques <\/p>\n","protected":false},"author":22,"featured_media":159529,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[883],"tags":[913,906],"domains":[47],"ppma_author":[1149],"class_list":["post-159528","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technologies","tag-materials-processes-fr","tag-mpus-mcus-fr","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"
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