Fond\u00e9e en d\u00e9cembre 2015, Innoscience est d\u00e9j\u00e0 le plus grand fabricant de composants int\u00e9gr\u00e9s sp\u00e9cialis\u00e9 dans la technologie GaN. La soci\u00e9t\u00e9 dispose de deux unit\u00e9s de production de wafers, dont le plus grand site au monde d\u00e9di\u00e9 au GaN-on-Si sur tranches 8 pouces (200 mm), qui est dot\u00e9 des tout derniers \u00e9quipements de fabrication avanc\u00e9s \u00e0 haute cadence. La soci\u00e9t\u00e9 dispose actuellement d\u2019une capacit\u00e9 de 10 000 wafers 8 pouces par mois, qui passera \u00e0 14 000 wafers 8 pouces par mois dans le courant de l’ann\u00e9e, et \u00e0 70 000 wafers 8 pouces par mois d’ici 2025. La soci\u00e9t\u00e9 propose un large portefeuille de dispositifs de 30 \u00e0 650 V et a d\u00e9j\u00e0 livr\u00e9 plus de 35 millions de composants pour des applications telles que des chargeurs\/adaptateurs USB PD, des centres de donn\u00e9es, des t\u00e9l\u00e9phones mobiles et des drivers de LED.<\/p>\n
Innoscience produit des FET GaN hautes performances \u00e0 l\u2019\u00e9tat coup\u00e9 au repos. En introduisant une couche de r\u00e9sistance aux contraintes, la soci\u00e9t\u00e9 a r\u00e9duit de mani\u00e8re significative la r\u00e9sistance drain-source \u00e0 l\u2019\u00e9tat passant (RDS(ON)) sans affecter les autres param\u00e8tres, comme la tension de seuil ou les fuites. L’\u00e9pitaxie et le traitement des dispositifs ont \u00e9t\u00e9 optimis\u00e9s pour assurer une reproductibilit\u00e9 et un rendement \u00e9lev\u00e9s. Les composants ont pass\u00e9 des tests de qualit\u00e9 et de fiabilit\u00e9 allant au-del\u00e0 des normes JEDEC.<\/p>\n
Dr Denis Marcon, Directeur G\u00e9n\u00e9ral d’Innoscience Europe, commente : \u00ab L\u2019heure du GaN est venue, et Innoscience est pr\u00eat \u00e0 fournir le monde entier. Nous saurons faire mieux que tous nos concurrents en termes de prix \u00e0 dispositif \u00e9quivalent, et notre \u00e9norme capacit\u00e9 de production garantit une s\u00e9curit\u00e9 d’approvisionnement \u00e0 nos clients, ce qui est un point tr\u00e8s important pour eux, compte tenu de la p\u00e9nurie de puces qui s\u00e9vit en ce moment. Nous sommes impatients de coop\u00e9rer avec toutes les entreprises pour faire prolif\u00e9rer le GaN au sein de l’industrie \u00e9lectronique mondiale. \u00bb<\/p>\n
Yi Sun, Directeur G\u00e9n\u00e9ral d’Innoscience USA, explique : \u00ab C’est un moment passionnant pour nos clients, qui peuvent profiter de la compr\u00e9hension des applications et des cartes de d\u00e9monstration d’Innoscience pour d\u00e9velopper des solutions uniques. Cela nous permettra de mieux soutenir nos clients aux \u00c9tats-Unis, et en particulier dans la r\u00e9gion de la baie de San Francisco. \u00bb<\/p>\n
Les deux bureaux d’Innoscience devraient conna\u00eetre une expansion rapide dans les mois et ann\u00e9es \u00e0 venir, afin de fournir un soutien strat\u00e9gique au march\u00e9 florissant des solutions de puissance GaN-on-Si en Europe et aux \u00c9tats-Unis.<\/p>\n