Ces composants associent un haut rendement en puissance ajout\u00e9e (PAE, Power-Added Efficiency) et une forte lin\u00e9arit\u00e9 pour fournir de nouveaux niveaux de performance dans des applications allant de la 5G aux appareils \u00e9lectroniques, en passant par les communications satellites, les applications commerciales, les syst\u00e8mes de radar militaire et les \u00e9quipements de test.<\/p>\n
Comme tous les produits de puissance RF GaN de Microchip, ces composants sont fabriqu\u00e9s \u00e0 partir d\u2019une technologie \u00ab GaN sur carbure de silicium \u00bb qui offre la meilleure combinaison pour une densit\u00e9 de puissance et un rendement \u00e9lev\u00e9s, ainsi qu\u2019un fonctionnement haute tension et une long\u00e9vit\u00e9 sup\u00e9rieure \u00e0 1 million d\u2019heures \u00e0 une temp\u00e9rature de jonction de 255 \u00b0C. Ils int\u00e8grent des circuits int\u00e9gr\u00e9s monolithiques micro-ondes (MMIC) couvrant les plages de fr\u00e9quence de 2 \u00e0 18 GHz, de 12 \u00e0 20 GHz et de 12 \u00e0 20 GHz, avec une puissance de sortie RF au point de compression de 3 dB (P3dB) jusqu\u2019\u00e0 20 W et une efficacit\u00e9 jusqu\u2019\u00e0 25 %. Ils sont \u00e9galement dot\u00e9s d\u2019amplificateurs MMIC GaN, sous forme de composants nus ou encapsul\u00e9s, pour la bande S ou X, avec un PAE allant jusqu\u2019\u00e0 60 %, ainsi que de transistors \u00e0 haute mobilit\u00e9 \u00e9lectronique (HEMT) discrets, couvrant du CC \u00e0 14 GHz, avec une puissance de sortie RF P3dB allant jusqu\u2019\u00e0 100 W et une efficacit\u00e9 maximale de 70 %.<\/p>\n
\u00ab Microchip continue d\u2019investir dans sa famille de produits RF GaN pour permettre le d\u00e9veloppement de toute application \u00e0 toute fr\u00e9quence, depuis les micro-ondes jusqu\u2019aux ondes millim\u00e9triques. Notre portefeuille de produits comprend plus de 50 composants, depuis les niveaux de puissance les plus faibles jusqu\u2019\u00e0 2,2 kW \u00bb, explique Leon Gross, vice-pr\u00e9sident du d\u00e9partement des produits discrets chez Microchip. \u00ab Ensemble, les produits annonc\u00e9s aujourd\u2019hui couvrent la plage de 2 \u00e0 20 GHz et sont con\u00e7us pour r\u00e9pondre aux probl\u00e8mes de lin\u00e9arit\u00e9 et d\u2019efficacit\u00e9 pos\u00e9s par les techniques de modulation d\u2019ordre sup\u00e9rieur utilis\u00e9es pour la 5G et pour d\u2019autres r\u00e9seaux non filaires, ainsi qu\u2019aux besoins sp\u00e9cifiques des communications satellites et des applications militaires. \u00bb<\/p>\n