Le micro-\u00e9cran GaN pr\u00e9sent\u00e9 par le Leti \u00e0 la la derni\u00e8re semaine \u00ab\u00a0Display Week\u00a0\u00bb qui s’est tenue \u00e0 Los Angeles avait fait sensation. Et pour cause : il est le premier au monde \u00e0 afficher une r\u00e9solution de 873 pixels par 500, au pas de 10 microns !<\/p>\n
Cette prouesse, r\u00e9alis\u00e9e en collaboration avec le III-V Lab, a \u00e9t\u00e9 rendue possible par plusieurs avanc\u00e9es technologiques et les moyens de ressourcement Carnot. D’abord, la mise au point d’une matrice de micro-LED de GaN elle-m\u00eame dot\u00e9e de ces caract\u00e9ristiques, gr\u00e2ce \u00e0 la mise au point d’une technique de fabrication auto-align\u00e9e brevet\u00e9e. Il a ensuite fallu l’assembler \u00e0 une matrice active CMOS, c’est-\u00e0-dire un circuit int\u00e9gr\u00e9 dont le r\u00f4le est de piloter chaque LED individuellement afin d’\u00e9crire l’image. Pour coupler les deux, les chercheurs ont d\u00e9velopp\u00e9 une technique d’hybridation sp\u00e9cifique consistant \u00e0 placer des microtubes m\u00e9talliques sur la matrice active, lesquels viennent s’ins\u00e9rer sur des plots de m\u00e9tal d\u00e9pos\u00e9s quant \u00e0 eux au niveau de chacune des LED, par l’application d’une simple pression m\u00e9canique op\u00e9r\u00e9e \u00e0 temp\u00e9rature ambiante.<\/p>\n
Prochaines \u00e9tapes : passer d’un \u00e9cran monochrome \u00e0 un \u00e9cran couleur, et poursuivre le d\u00e9veloppement d’une approche de fabrication tr\u00e8s innovante (sans alignement) qui permettra de r\u00e9duire le pas de pixel jusqu’\u00e0 trois microns.<\/p>\n