Bas\u00e9 sur les derni\u00e8res puces V-NAND \u00e0 64 couches et 512 gigabits de Samsung, le nouveau bo\u00eetier eUFS de 512 Go offre une capacit\u00e9 de stockage in\u00e9gal\u00e9e et des performances exceptionnelles aux futurs smartphones et tablettes phares.
\n\u00abEn surmontant les limites potentielles de performances syst\u00e8me li\u00e9es \u00e0 l’utilisation de cartes microSD, la nouvelle m\u00e9moire eUFS de 512 Go de Samsung constitue la meilleure solution de stockage embarqu\u00e9 pour les smartphones haut de gamme de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration \u00bb, a affirm\u00e9 Jaesoo Han, vice-pr\u00e9sident directeur Ventes et marketing m\u00e9moire chez Samsung Electronics. \u00ab Avec un approvisionnement pr\u00e9coce et stable de cette solution de stockage int\u00e9gr\u00e9 avanc\u00e9, Samsung contribue largement au lancement rapide des appareils mobiles de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration par les fabricants du monde entier \u00bb.
\nCompos\u00e9e de huit puces V-NAND \u00e0 64 couches et 512 Gb, ainsi que d’une puce contr\u00f4leur, toutes empil\u00e9es, la nouvelle UFS de 512 Go de Samsung a une densit\u00e9 deux fois sup\u00e9rieure \u00e0 celle de l’eUFS V-NAND \u00e0 48 couches et 256 Go pr\u00e9c\u00e9dente de Samsung, tout en occupant le m\u00eame espace que le bo\u00eetier 256 Go. La capacit\u00e9 de stockage accrue de l’eUFS offrira une exp\u00e9rience mobile beaucoup plus riche. Par exemple, la nouvelle eUFS haute capacit\u00e9 permet \u00e0 un t\u00e9l\u00e9phone intelligent haut de gamme de stocker environ 130 clips vid\u00e9o 4K Ultra HD (3840 x 2160) d’une dur\u00e9e de 10 minutes. Ceci repr\u00e9sente environ dix fois plus qu’une eUFS de 64 Go, qui ne permet de stocker qu’environ 13 clips vid\u00e9o de m\u00eame taille.
\nPour optimiser les performances et l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des nouvelles m\u00e9moires eUFS de 512 Go, elles int\u00e8grent un nouvel ensemble de technologies propri\u00e9taires Samsung. La conception avanc\u00e9e du circuit V-NAND \u00e0 64 couches et 512 Gb et la nouvelle technologie de gestion de l’alimentation du contr\u00f4leur de l’eUFS 512 Go minimisent l’augmentation in\u00e9vitable de la consommation \u00e9nerg\u00e9tique, ce qui est particuli\u00e8rement remarquable puisque la nouvelle solution eUFS 512 Go contient deux fois plus de cellules que l’eUFS 256 Go. En outre, le contr\u00f4leur de l’eUFS 512 Go acc\u00e9l\u00e8re le processus de mappage pour convertir les adresses de blocs logiques en celles de blocs physiques.
\nL’eUFS 512 Go de Samsung offre \u00e9galement de bonnes performances en lecture et en \u00e9criture. Gr\u00e2ce \u00e0 ses vitesses de lecture et d’\u00e9criture s\u00e9quentielles atteignant respectivement 860 m\u00e9gaoctets par seconde (Mo\/s) et 255 Mo\/s, la m\u00e9moire int\u00e9gr\u00e9e de 512 Go peut transf\u00e9rer un clip vid\u00e9o full HD de 5 Go en SSD en six secondes environ, soit huit fois plus vite qu’une carte microSD courante.
\nPour la lecture et l’\u00e9criture al\u00e9atoires, la nouvelle eUFS atteint respectivement 42 000 IOPS et 40 000 IOPS. Gr\u00e2ce \u00e0 la grande vitesse d’\u00e9criture al\u00e9atoire de l’eUFS, qui est environ 400 fois sup\u00e9rieure aux 100 IOPS d’une carte microSD conventionnelle, les utilisateurs mobiles peuvent profiter d’exp\u00e9riences multim\u00e9dias fluides telles que la prise de vue haute r\u00e9solution en rafale, ainsi que la recherche de fichiers et le t\u00e9l\u00e9chargement de vid\u00e9os en mode multifen\u00eatrage.
\nDans le m\u00eame registre, Samsung envisage d’augmenter r\u00e9guli\u00e8rement un volume de production agressif pour ses puces V-NAND \u00e0 64 couches et 512 Gb, tout comme sa production de V-NAND 256 Gb. Tout ceci pour r\u00e9pondre \u00e0 l’augmentation de la demande en mati\u00e8re de stockage mobile embarqu\u00e9 avanc\u00e9, ainsi que de SSD de qualit\u00e9 sup\u00e9rieure et de cartes m\u00e9moire amovibles haute densit\u00e9 et hautes performances.<\/p>\n