\u00ab En mettant au point des technologies innovantes pour la conception et la gravure des circuits DRAM, nous avons surmont\u00e9 un grand obstacle \u00e0 l’\u00e9volutivit\u00e9 de la m\u00e9moire DRAM \u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Gyoyoung Jin, pr\u00e9sident de la division M\u00e9moires chez Samsung Electronics. \u00ab Gr\u00e2ce \u00e0 une rapide mont\u00e9e en puissance de la DRAM 10 nm de 2e g\u00e9n\u00e9ration, notre production de DRAM de classe 10 nm va largement augmenter. Nous pourrons ainsi r\u00e9pondre \u00e0 la forte demande du march\u00e9 et continuer \u00e0 renforcer notre comp\u00e9titivit\u00e9 \u00bb.
\nLa DDR4 10 nm de 8 Gb de 2e g\u00e9n\u00e9ration de Samsung offre un gain de productivit\u00e9 d’environ 30 % par rapport \u00e0 la DDR4 10 nm de 8 Gb de 1e g\u00e9n\u00e9ration. En outre, les niveaux de performance et d’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique de la nouvelle DDR4 de 8 Gb ont \u00e9t\u00e9 respectivement am\u00e9lior\u00e9s d’environ 10 et 15 %, gr\u00e2ce \u00e0 l’utilisation d’une technologie de conception de circuit avanc\u00e9e et exclusive. La nouvelle DDR4 8 Gb peut tourner \u00e0 3 600 m\u00e9gabits par seconde par broche, comparativement aux 3 200 Mbit\/s de la DDR4 8 Gb 1x-nm de la soci\u00e9t\u00e9.
\nPour obtenir ces r\u00e9sultats, Samsung a appliqu\u00e9 de nouvelles technologies, sans utiliser la lithographie EUV. L’innovation permet l\u2019utilisation d\u2019un syst\u00e8me de d\u00e9tection de donn\u00e9es de cellule \u00e0 haute sensibilit\u00e9 et d’un syst\u00e8me progressif \u00ab \u00e0 espace d’air \u00bb.
\nDans les cellules de la DRAM de classe 10 nm de 2e g\u00e9n\u00e9ration de Samsung, un syst\u00e8me de d\u00e9tection de donn\u00e9es innovant d\u00e9termine avec plus de pr\u00e9cision les donn\u00e9es stock\u00e9es dans chaque cellule, ce qui augmente consid\u00e9rablement le niveau d’int\u00e9gration des circuits et la productivit\u00e9 de la fabrication.
\nLa nouvelle DRAM de classe 10 nm utilise \u00e9galement un espace d’air exclusif plac\u00e9 autour de ses lignes de bits pour r\u00e9duire consid\u00e9rablement la capacit\u00e9 parasite. Cet espace d’air permet non seulement un niveau de miniaturisation plus pouss\u00e9, mais \u00e9galement un fonctionnement rapide des cellules. Gr\u00e2ce \u00e0 ces progr\u00e8s, Samsung acc\u00e9l\u00e8re maintenant ses projets de mani\u00e8re \u00e0 introduire beaucoup plus rapidement des puces et des syst\u00e8mes DRAM de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration, notamment DDR5, HBM3, LPDDR5 et GDDR6, destin\u00e9s aux serveurs d’entreprise, aux appareils mobiles, aux superordinateurs, aux syst\u00e8mes de calcul haute performance et aux cartes graphiques haute vitesse.
\nSamsung a termin\u00e9 de valider ses modules DDR4 de classe 10 nm de 2e g\u00e9n\u00e9ration avec les fabricants de processeurs et pr\u00e9voit maintenant de travailler en \u00e9troite collaboration avec ses clients TI du monde entier \u00e0 la mise au point de syst\u00e8mes informatiques de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration plus efficaces.
\nEn outre, le premier producteur mondial de DRAM s’attend non seulement \u00e0 augmenter rapidement le volume de production des gammes DRAM de classe 10 nm de 2e g\u00e9n\u00e9ration, mais aussi \u00e0 fabriquer davantage de DRAM de premi\u00e8re g\u00e9n\u00e9ration 10 nm de 1e g\u00e9n\u00e9ration afin de r\u00e9pondre aux besoins croissants de DRAM dans les syst\u00e8mes \u00e9lectroniques haut de gamme du monde entier.<\/p>\n