{"id":118296,"date":"2018-06-12T13:37:48","date_gmt":"2018-06-12T13:37:48","guid":{"rendered":"https:\/\/\/globalfoundries-ajoute-une-option-nvm-a-sa-technologie-fdsoi\/"},"modified":"2018-06-12T13:37:48","modified_gmt":"2018-06-12T13:37:48","slug":"globalfoundries-ajoute-une-option-nvm-a-sa-technologie-fdsoi","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ecinews.fr\/fr\/globalfoundries-ajoute-une-option-nvm-a-sa-technologie-fdsoi\/","title":{"rendered":"Globalfoundries ajoute une option NVM \u00e0 sa technologie FDSOI"},"content":{"rendered":"

La soci\u00e9t\u00e9 propose d\u00e9j\u00e0 de la RAM magn\u00e9tique (MRAM) sur son processus 22FDX et recherche maintenant d’autres options de m\u00e9moire, selon Gary Patton, directeur de la technologie.<\/span><\/span><\/p>\n

 <\/p>\n

L’information a \u00e9t\u00e9 r\u00e9v\u00e9l\u00e9e en marge du Forum technologique de l’IMEC tenu \u00e0 Anvers la semaine derni\u00e8re lors d’une interview que Patton a accord\u00e9 \u00e0 eeNews Europe, partenaire de ECI Electronique.<\/span><\/span><\/p>\n

 <\/p>\n

Patton tenait \u00e0 souligner que m\u00eame si les rivaux de fonderie tels que TSMC et Samsung mettent tout en \u0153uvre pour introduire des processus 7nm de pointe, l’intelligence connect\u00e9e concerne \u00e9galement les circuits RF et l’efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique.<\/span> Mais y a-t-il un risque que Globalfoundries se laisse distancer dans une course aux plus petites g\u00e9om\u00e9tries et commence \u00e0 perdre des clients?<\/span><\/span><\/p>\n

 <\/p>\n

\"\"<\/p>\n

Gary Patton, CTO de Globalfoundries.<\/strong><\/em><\/p>\n

\u00abNous sommes sur une strat\u00e9gie de double feuille de route\u00bb, a r\u00e9pondu Patton.<\/span><\/p>\n

Cette strat\u00e9gie de double trajectoire pr\u00e9voit la sortie des premierstapeouts 7nm FinFET  chez<\/span><\/span> Globalfoundries au courant du 2H18 avec la production en 2019 et d’autres tape-outs en 2019, a d\u00e9clar\u00e9 Patton. <\/span>Ces premiers tapeouts sont ce que Patton a appel\u00e9 les accords de \u00ab\u00a0premi\u00e8re source\u00a0\u00bb. <\/span>Patton a d\u00e9clar\u00e9 que les premiers clients comprennent AMD, IBM et certaines autres entreprises via une plate-forme de conception ASIC.<\/span><\/span><\/p>\n

Il est important que Globalfoundries r\u00e9ussisse ses processus FinFET pour maintenir son complexe Fab 8 \u00e0 Malte, New York \u00e0 capacit\u00e9 et g\u00e9n\u00e9rer le revenu n\u00e9cessaire pour financer la R & D sur des g\u00e9om\u00e9tries plus petites telles que 3nm.<\/span><\/span><\/p>\n

Pendant ce temps, sur l’autre branche de sa double feuille de route, Globalfoundries est en concurrence avec Samsung qui offre un processus FDSOI <\/span><\/span>de 28 nm et a annonc\u00e9 un suivi de FDSOI \u00e0 18nm. <\/span>\u00abNous sommes tr\u00e8s heureux de voir Samsung participer dans cette techonologie, ce qui ne fait que renforcer sa pr\u00e9sence sur le march\u00e9\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Patton, \u00abnous avons 36 design wins en FDSOI et tapeouts sur 22FDX\u00bb.<\/span><\/span><\/p>\n

Avec 9 design wins aux Etats-Unis, 13 en Europe, 11 en Asie et 3 au Japon, comme on pouvait s’y attendre il y a un peu plus de succ\u00e8s en Europe.<\/span><\/span><\/p>\n

\u00e0 suivre: un risque faible<\/strong><\/em><\/p>\n

\n

Patton a d\u00e9clar\u00e9 que le FDSOI a pass\u00e9 un cap en termes de risque per\u00e7u. <\/span>\u00ab\u00a0Maintenant, la feuille de route n’est pas un probl\u00e8me, la disponibilit\u00e9 de la propri\u00e9t\u00e9 intellectuelle n’est pas un probl\u00e8me et la perception du risque a baiss\u00e9. Une autre mesure est notre programme de partenariat FDXelerator lanc\u00e9 avec 7 partenaires au 3T16 qui en compte maintenant 47. Nous nous dirigeons vers 75 partenaires <\/span>vers la fin de l’ann\u00e9e. Nous avons eu plusieurs tapeouts de CI – plut\u00f4t que des tests de chips – sur 22FDX et nous pr\u00e9voyons des tapeouts sur 12FDX en 2020 avec des livraisons en 2021. \u00ab\u00a0<\/span><\/span><\/p>\n

Patton a soulign\u00e9 que les \u00e9l\u00e9ments RF et les circuits \u00e0 ondes millim\u00e9triques sur FDSOI sont de classe mondiale, ce qui rend le processus bon pour les applications de radar automobile. <\/span>En fait, le processus 22FDX vient d’\u00eatre certifi\u00e9 AEC-Q100 Grade 2 pour la production. <\/span>Dans le cadre de la certification AEC-Q100 Grade 2, les appareils doivent r\u00e9sister avec succ\u00e8s \u00e0 des tests de r\u00e9sistance de fiabilit\u00e9 pendant une longue p\u00e9riode, sur une large plage de temp\u00e9rature.<\/span><\/span><\/p>\n

Globalfoundries propose la plate-forme AutoPro pour aider les clients \u00e0 migrer leurs microcontr\u00f4leurs et ASSP automobiles vers 22FDX et tirer parti des capacit\u00e9s RF et mmWave aux c\u00f4t\u00e9s de la logique, de la m\u00e9moire non volatile (NVM) et des dispositifs haute tension.<\/span><\/span><\/p>\n

Globalfoundries a \u00e9t\u00e9 un pionnier du MRAM embarqu\u00e9 (voir Globalfoundries propose MRAM embarqu\u00e9 sur 22nm FDSOI<\/a>) mais d’autres entreprises proposent des alternatives. <\/span>Samsung propose des options MRAM et flash embarqu\u00e9es sur son FDSOI 28nm (voir FDSOI pour l’int\u00e9gration de MRAM, options flash \u00e0 28nm<\/a>) et STMicroelectronics a opt\u00e9 pour la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase sur 28nm FDSOI (voir ST \u00e9chantillenne des MCU avec m\u00e9moire de changement de phase int\u00e9gr\u00e9e<\/a>) <\/span>.<\/span><\/span><\/p>\n

Pendant ce temps, TSMC offre des MRAM et une variante de ReRAM comme m\u00e9moire embarqu\u00e9e sur son processus FinFET 22nm, selon les rapports (voir rapport: TSMC offre des ReRAM embarqu\u00e9es en 2019<\/a>).<\/span><\/span><\/p>\n

\u00e0 suivre: Globalfoundries et les prochaines m\u00e9moires non volatiles (NVM)<\/strong><\/em><\/p>\n

\n

\u00ab\u00a0Nous examinons d’autres options de m\u00e9moire non-volatile\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Patton. <\/span>Mais Patton a refus\u00e9 d’en dire plus sur les options. <\/span>Il est \u00e0 noter que STMicroelectronics a choisi le PCM (voir des diff\u00e9rences de m\u00e9moire restent alors que ST choisit Globalfoundries pour FDSOI<\/a>) ainsi que Globalfoundries comme partenaire de fonderie FDSOI. <\/span>Il existe \u00e9galement un certain nombre d’options de m\u00e9moire vive r\u00e9sistive en cours d’\u00e9laboration par des soci\u00e9t\u00e9s Fabless qui cherchent des partenaires de fonderie. <\/span>\u00ab\u00a0Le 22FDX sera un n\u0153ud \u00e0 longue dur\u00e9e de vie, donc je pense que nous allons moderniser de nombreux modules technologiques\u00a0\u00bb, a d\u00e9clar\u00e9 Patton.<\/span><\/span><\/p>\n

En changeant de sujet Patton a confirm\u00e9 qu’il n’y avait eu aucun changement dans les plans d’utilisation de la lithographie ultraviolette extr\u00eame avec le proc\u00e9d\u00e9 7nm en 2019 (voir Globalfoundries dit EUV en production en 2019<\/a>). <\/span>\u00abNous disposons de deux outils de fabrication EUV \u00e0 Malte, New York, et nous avons de la place pour deux autres. Nous avons \u00e9galement une troisi\u00e8me machine en cours de mise \u00e0 niveau \u00e0 Veldhoven [si\u00e8ge d’ASML].<\/span><\/span><\/p>\n

Patton a d\u00e9clar\u00e9: \u00ab\u00a0Nous allons lancer la technologie de lithographie \u00e0 immersion optique, puis nous serons en mesure d’offrir une am\u00e9lioration de la performance de la technologie 7nm.\u00a0\u00bb<\/span><\/p>\n

Patton a r\u00e9p\u00e9t\u00e9 son expos\u00e9 que dans FinFET 14nm et 7nm sont des n\u0153uds \u00ab\u00a0majeurs\u00a0\u00bb et il \u00e9tait heureux que Globalfoundries n’ait pas mis de ressources dans le 10nm. <\/span>Il devient si co\u00fbteux de mettre en oeuvre la technologie de fabrication de semi-conducteurs qu’il est seulement \u00e9conomique de migrer quand vous obtenez  une am\u00e9lioration de productivit\u00e9 de 30%.<\/span><\/span><\/p>\n

Patton a poursuivi: \u00ab\u00a05nm est un autre demi-n\u0153ud et 3nm est susceptible d’\u00eatre le prochain n\u0153ud complet.\u00a0\u00bb <\/span>Il a ajout\u00e9 que 5nm serait probablement le dernier n\u0153ud FinFET et que 3nm n\u00e9cessiterait un nouveau d\u00e9veloppement de transistor important. <\/span>\u00ab\u00a0Ce sera une grosse facture pour une am\u00e9lioration r\u00e9elle du n\u0153ud\u00a0\u00bb, a-t-il d\u00e9clar\u00e9. <\/span>Il a ajout\u00e9 que des nanofeuillets – des nanofils lat\u00e9raux aplatis, chacun avec une porte tout autour – \u00e9taient un candidat probable pour le n\u0153ud de processus 3nm. <\/span>Et c’est justement ce qui vient d’\u00eatre annonc\u00e9 par son rival Samsung pour son n\u0153ud 3nm \u00e0 venir vers 2022 (voir <\/span><\/span>Samsung to introduce nanosheet transistors in 3nm node<\/a>).<\/span><\/span><\/p>\n

\u00a0\u00bb Les gens et la miniaturisation technologique progressent plus lentement. L’introduction du 3nm aura lieu trois ou quatre ans apr\u00e8s le 7nm\u00a0\u00bb, conclut Patton. Il a alors propos\u00e9 l’analogie que le 7nm est un sport extr\u00eame et ce sera comme faire du sport extr\u00eame \u00e0 haute altitude. <\/span>\u00ab\u00a0L’air va devenir tr\u00e8s mince.\u00a0\u00bb<\/span><\/span><\/p>\n

La r\u00e9daction vous conseille:<\/strong><\/p>\n

ST \u00e9chantillonne le premier MCU avec m\u00e9moire \u00e0 changement de phase<\/strong><\/a><\/p>\n

Soitec: un Chiffre d’Affaires en hausse de 30% !<\/strong><\/a><\/p>\n

Intel retarde \u00e0 nouveau le passage au 10 nm<\/strong><\/a><\/p>\n

Premiers chips de test 3nm par IMEC et Cadence<\/strong><\/a><\/p>\n

Related links and articles in English: <\/strong><\/p>\n

www.globalfoundries.com<\/a><\/p>\n

News articles:<\/strong><\/p>\n

Globalfoundries offers embedded MRAM on 22nm FDSOI<\/a><\/p>\n

FDSOI to get embedded MRAM, flash options at 28nm<\/a><\/p>\n

Report: TSMC to offer embedded ReRAM in 2019<\/a><\/p>\n

Globalfoundries says EUV in production in 2019<\/a><\/p>\n

Samsung to introduce nanosheet transistors in 3nm node<\/a><\/p>\n

Memory differences remain as ST chooses Globalfoundries for FDSOI<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Global Foundries Inc. (Santa Clara, Californie) \u00e9tudie l’ajout d’une deuxi\u00e8me option de technologie de m\u00e9moire non volatile, et potentiellement plus, \u00e0 son offre sur 22nm FDSOI.<\/p>\n","protected":false},"author":22,"featured_media":118297,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[883],"tags":[889,909,896,899,913,905,906,907,908,890,916,910,915],"domains":[47],"ppma_author":[1149],"class_list":["post-118296","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-technologies","tag-analog-fr","tag-batteries-power-supplies-fr","tag-digitalsignalprocessing-fr","tag-eda-cad-tools-fr","tag-materials-processes-fr","tag-memory-data-storage-fr","tag-mpus-mcus-fr","tag-optoelectronics-fr","tag-plds-fpgas-asics-fr","tag-powermanagement-fr","tag-rf-transmission-fr","tag-sensing-conditioning-fr","tag-wireless-communications-fr","domains-electronique-eci"],"acf":[],"yoast_head":"Globalfoundries ajoute une option NVM \u00e0 sa technologie FDSOI ...<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Global Foundries Inc. 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